Renesas Electronics Corporation anunció que ha desarrollado un dispositivo de energía inteligente “R2A25110KSP”, un controlador IGBT aislado. Este dispositivo ha sido desarrollado para su uso en inversores de potencia de vehículos eléctricos e híbridos. El R2A25110KSP incorpora la tecnología de aislamiento de microaisladores recientemente desarrollada por Renesas Electronics, que permite la construcción de sistemas más confiables y compactos para las exigentes aplicaciones automotrices de hoy.Renesas Electronics Corporation anunció que ha desarrollado un dispositivo de energía inteligente “R2A25110KSP”, un controlador IGBT aislado. Este dispositivo ha sido desarrollado para su uso en inversores de potencia de vehículos eléctricos e híbridos. El R2A25110KSP incorpora la tecnología de aislamiento de microaisladores recientemente desarrollada por Renesas Electronics, que permite la construcción de sistemas más confiables y compactos para las exigentes aplicaciones automotrices de hoy.
El inversor que impulsa los motores eléctricos de los vehículos eléctricos e híbridos consta de un módulo de potencia que emplea elementos de accionamiento del motor, como IGBT, y un bloque de circuito de control que aísla eléctricamente la electrónica de accionamiento de bajo voltaje y la electrónica de potencia de alto voltaje. El crecimiento del mercado de inversores de potencia ha llevado a módulos de potencia más compactos para reducir el tamaño, el peso y el costo total del sistema. Para satisfacer la demanda cada vez mayor de bajo costo y alto rendimiento, existe una creciente demanda de soluciones que integren elementos de aislamiento y circuitos controladores IGBT para que el tamaño de los módulos de potencia pueda reducirse aún más.
Renesas Electronics ha desarrollado el “R2A25110KSP” en respuesta a esta demanda del mercado.