Freescale Semiconductor ha presentado un transistor LDMOS de potencia de RF que combina la mayor potencia de salida y eficiencia de la industria con la mayor robustez de cualquier dispositivo de la competencia en su clase diseñado para aplicaciones de transmisión de televisión UHF.
Freescale Semiconductor ha presentado un transistor LDMOS de potencia de RF que combina la mayor potencia de salida y eficiencia de la industria con la mayor robustez de cualquier dispositivo de la competencia en su clase diseñado para aplicaciones de transmisión de televisión UHF.
El miembro más reciente de la familia de transistores LDMOS de potencia de RF de Freescale, el MRFE6VP8600H, ofrece una potencia de salida un 39 % mayor que su predecesor, proporcionando la máxima potencia para muchos de los principales estándares de transmisión digital, como ATSC, DVB-T e ISDB-T. El MRFE6VP8600H ofrece beneficios significativos a los fabricantes y emisoras de transmisores de TV. Por ejemplo, este transistor ofrece una potencia lineal de 125 W (más de 600 W de potencia de envolvente máxima) en toda la banda de transmisión con una eficiencia excelente (típicamente 30 % a 860 MHz, hasta 45 % cuando se usa en una configuración Doherty).
La banda de frecuencia UHF oscila entre 470 MHz y 860 MHz y las emisoras la utilizan para transmitir señales de televisión por aire. La mayoría de las estaciones de televisión que transmiten digitalmente hoy en día utilizan la banda UHF.
“El nuevo MRFE6VP8600H refuerza el compromiso continuo de Freescale de brindar el rendimiento y la eficiencia superiores que nuestros clientes necesitan para crecer, incluso en industrias que enfrentan requisitos de mercado extremadamente exigentes”, dijo Ritu Favre, vicepresidente y gerente general de la división RF de Freescale. “Este nuevo producto destaca aún más la capacidad de Freescale de aprovechar su profundo conocimiento del mercado de las redes para generar mejoras en el rendimiento y la eficiencia a través de un proceso de diseño inteligente a nivel de sistema”.
La alta salida de RF y la eficiencia mejorada del MRFE6VP8600H reducen la cantidad total de transistores y etapas de acoplamiento necesarios para una potencia de salida dada, lo que simplifica el diseño del transmisor y aumenta la confiabilidad en comparación con los sistemas de estado sólido de la generación anterior. Los transmisores basados en MRFE6VP8600H pueden consumir hasta un 15 % menos de energía que las generaciones anteriores, lo que genera importantes ahorros en los costos operativos.
El MRFE6VP8600H es el transistor LDMOS de potencia RF más robusto de su clase. El dispositivo funciona con la máxima potencia nominal de salida de RF, con un desajuste de impedancia (VSWR) superior a 65:1, en todos los ángulos de fase, o al doble de la potencia nominal de entrada, pero no degrada el rendimiento. La robustez de este transistor aumenta en gran medida su confiabilidad incluso en condiciones adversas, como formación de hielo en la antena, perturbaciones en la línea de transmisión, errores del operador y picos de excitación causados por el sistema de distorsión previa.
Además, el MRFE6VP8600H maneja fácilmente las condiciones de carga reflejada fuera de banda causadas por filtros de canales altamente selectivos y características de alta relación pico a promedio (PAR) de esquemas de transmisión digital que emplean técnicas de modulación de orden superior como DVB-T. . (8k OFDM). Las características de robustez mejoradas del MRFE6VP8600H también permiten la adopción de un circuito de protección de transmisor simplificado.
Las principales especificaciones de MRFE6VP8600H son las siguientes.
- Potencia media de salida de RF de 125 W (DVB-T) [8k OFDM] señal), 860 MHz, ganancia 19,3 dB, eficiencia 30 por ciento
- Potencia máxima de RF de 600 W
- Puede diseñarse para arquitecturas de amplificador moduladas por drenaje, Doherty o Clase AB, lo que elimina la necesidad de dispositivos específicos optimizados para cada arquitectura.
- La protección integrada contra descargas electrostáticas (ESD) brinda inmunidad a los voltajes perdidos que se encuentran durante el ensamblaje
- Extiende el rango de voltaje negativo de la fuente de la puerta de -6 V a +10 V para mejorar el rendimiento cuando se opera como etapa de pico del amplificador Doherty
- Alojado en el paquete de cavidad de aire cerámico empernado NI-1230 de Freescale (MRFE6VP8600H) o el paquete de cavidad de aire cerámico soldado NI-1230S (MRFE6VP8600HS)
precio y disponibilidad
MRFE6VP8600H/HS ya está en producción. Los diseñadores pueden aprovechar los diseños de referencia de banda ancha y otras herramientas de apoyo. Para obtener muestras e información sobre precios, comuníquese con Freescale Semiconductor, su oficina de ventas local de Freescale o su distribuidor autorizado. Información adicional sobre el MRFE6VP8600H está disponible en www.freescale.com/RFbroadcast. Visite también www.freescale.com/RFpower para obtener más soluciones LDMOS de potencia de RF.