Los transistores de RF de Infineon ofrecen a los diseñadores el mejor rendimiento posible, una gran flexibilidad y una relación precio/rendimiento. Son ampliamente utilizados para nuevas aplicaciones inalámbricas donde las especificaciones del sistema aún no están firmemente establecidas. Los amplificadores de bajo ruido (LNA) BFxx incluyen dispositivos adecuados para usar desde AM hasta VHF/UHF hasta 14 GHz. Estas son las últimas innovaciones de LNA basadas en la confiable tecnología bipolar de heterounión fT de silicio-germanio-carbono (SiGe:C) de alta capacidad de 80 GHz de Infineon.Los transistores de RF de Infineon ofrecen a los diseñadores el mejor rendimiento posible, una gran flexibilidad y una relación precio/rendimiento. Son ampliamente utilizados para nuevas aplicaciones inalámbricas donde las especificaciones del sistema aún no están firmemente establecidas. Los amplificadores de bajo ruido (LNA) BFxx incluyen dispositivos adecuados para usar desde AM hasta VHF/UHF hasta 14 GHz. Estas son las últimas innovaciones de LNA basadas en la confiable tecnología bipolar de heterounión fT de silicio-germanio-carbono (SiGe:C) de alta capacidad de 80 GHz de Infineon.
Estas últimas innovaciones de LNA combinan un rendimiento de RF inigualable con una excelente solidez frente a la sobremarcha de potencia de entrada de RF alta y la descarga electrostática (ESD). El conmutador RF MOS BGS12SL6 es un conmutador SPDT de uso general de 0,1 a 6,0 GHz adecuado para la conmutación de banda/modo en sistemas celulares y aplicaciones WLAN. El diodo de protección contra transitorios/ESD ESD112B1 TVS es un diodo de protección contra transitorios/ESD de capacitancia ultrabaja bidireccional diseñado para la protección de líneas de señal de RF.
*característica*
* Amplificador robusto de bajo ruido basado en la tecnología SiGe:C confiable de alta capacidad de Infineon
* Combinación única de rendimiento y robustez de RF de gama alta: potencia de entrada de RF de hasta 20 dBm, dureza HBM ESD de 1,5 kV
* muy alta frecuencia de transición
* Alta ganancia|S21|2
* Adecuado para aplicaciones de bajo voltaje (por ejemplo, VCC = 1,2 V y 1,8 V (2,85 V, 3,3 V y 3,6 V requieren resistencias de colector correspondientes))
* Bajo consumo de energía, ideal para aplicaciones móviles
* Sin plomo (cumple con RoHS) y sin halógenos
* Cumple con AEC-Q101