LAST POWER, un programa patrocinado por la Unión Europea destinado al desarrollo de tecnologías de electrónica de potencia fiables y rentables, marca hoy la investigación y comercialización líderes en Europa de dispositivos industriales y de eficiencia energética.Anunciamos los resultados del programa de tres años sobre las líneas del frente Aplicaciones de automoción, electrónica de consumo, sistemas de conversión de energías renovables, telecomunicaciones, etc.LAST POWER, un programa patrocinado por la Unión Europea destinado al desarrollo de tecnologías de electrónica de potencia fiables y rentables, marca hoy la investigación y comercialización líderes en Europa de dispositivos industriales y de eficiencia energética.Anunciamos los resultados del programa de tres años sobre las líneas del frente Aplicaciones de automoción, electrónica de consumo, sistemas de conversión de energías renovables, telecomunicaciones, etc.
LAST POWER, una asociación público-privada en el campo de la nanoelectrónica, fundada en abril de 2010 por el Consorcio (JU) del Comité Asesor de la Iniciativa Europea de Nanoelectrónica (ENIAC), se centra en los semiconductores de banda prohibida amplia (SiC y SiC y GaN). Los miembros del consorcio son STMicroelectronics (Italia), Coordinador del proyecto, LPE/ETC (Italia), Instituto del Consejo Nacional de Investigación para Microelectrónica y Microsistemas – IMM-CNR (Italia), Fundación para la Investigación y Tecnología-Hellas – FORTH (Grecia)), NOVASiC (Francia), Consorzio Catania Ricerche -CCR (Italia), Institute of High Pressure Physics – Unipress (Polonia), Università della Calabria (Italia), SiCrystal (Alemania), SEPS Technologies (Suecia), SenSiC (Suecia), Acreo ( Suecia), Universidad Aristóteles de Tesalónica – AUTH (Grecia).
Un logro importante en el trabajo relacionado con SiC se basa en la demostración de SiCrystal de un sustrato 4H-SiC de gran superficie con un diámetro de 150 mm y un ángulo de corte de 2° fuera del eje. La calidad del material es comparable tanto en la estructura cristalina como en la rugosidad de la superficie con el material estándar de 100 mm y 4° disponible al comienzo del proyecto. En LPE/ETC, estos sustratos son adecuados para el crecimiento epitaxial de epicapas moderadamente dopadas adecuadas para la fabricación de diodos JBS (Junction Barrier Schottky) de 600-1200 V y MOSFET con el desarrollo de nuevos CVD (deposición química de vapor). Reactor para crecimiento en gran área (150mm) 4H-SiC.
La calidad de la capa epitaxial ha permitido la producción de diodos JBS (Junction Barrier Schottky) en las líneas de producción industrial de STMicroelectronics. La caracterización del primer lote mostró un rendimiento eléctrico comparable al de los materiales de 4° de última generación. En este contexto, el paso tecnológico fundamental fue el proceso de pulido químico-mecánico (CMP) – recuperación y planarización StepSiC ® – realizado en NOVASiC. Esta es una cuestión clave tanto para la preparación del sustrato como para el control subnanométrico antes del crecimiento epitaxial. Rugosidad superficial de la capa activa del dispositivo. Dentro de este proyecto, la misma empresa también desarrolló capacidades de crecimiento epitaxial para dispositivos MOSFET y JFET.
Se llevó a cabo un trabajo de investigación adicional sobre la interfaz SiO2/SiC en colaboración con ST e IMM-CNR para mejorar la movilidad del canal de los MOSFET 4H-SiC.
Finalmente, Acreo y FORTH desarrollaron un nuevo módulo de tecnología para JFET y MOSFET de 4H-SiC de alta temperatura con el apoyo de CCR para la investigación de compuestos de moldeo y materiales de fijación de matriz “sin plomo” para soluciones de empaque confiables. .
El proyecto LAST POWER también exploró el uso de dispositivos basados en GaN en aplicaciones de electrónica de potencia. En particular, ST ha desarrollado con éxito una estructura epitaxial AlGaN/GaN HEMT que crece sobre un sustrato de Si de 150 mm, logrando el objetivo de 3 mm de espesor y un voltaje soportado de 200 V. LAST POWER ha colaborado con IMM-CNR, Unipress y ST para desarrollar un avance tecnológico para los HEMT de AlGaN/GaN normalmente apagados con un enfoque “sin oro”. El módulo de proceso es totalmente compatible con el diagrama de flujo de fabricación de dispositivos establecido en la línea de producción ST e integrado para la fabricación de HEMT. La fructífera interacción entre los socios del proyecto que trabajan en el crecimiento de materiales y la tecnología de dispositivos ha permitido dar pasos importantes hacia la integración monolítica de dispositivos basados en GaN y SiC. Ambas técnicas se han demostrado en sustratos de 4H-SiC fuera del eje de 2°.