Renesas Electronics Corporation ha anunciado 12 nuevas versiones de productos de su dispositivo insignia SRAM (memoria estática de acceso aleatorio), la serie Advanced Low Power SRAM (Advanced LP SRAM) RMLV0416E, RMLV0414E y RMLV0408E. El nuevo dispositivo de memoria tiene una densidad de 4 megabits (Mb) y utiliza tecnología de proceso de microfabricación con un ancho de línea de circuito de 110 nanómetros (nm).La SRAM que se lanzará esta vez es una nueva serie de LPSRAM avanzada y logra la misma alta confiabilidad que nuestros productos SRAM de proceso de 150 nm convencionales, como la ausencia de errores de software y latch-up. También ofrece un funcionamiento de bajo consumo con corriente de reserva de hasta 2 microamperios (µA) a 25 °C, lo que lo hace adecuado para el almacenamiento de datos en dispositivos con respaldo de batería.
Las SRAM de bajo consumo de Renesas se utilizan ampliamente en una variedad de campos, incluidos equipos industriales, equipos de oficina, equipos de comunicación, equipos automotrices y equipos de consumo. Para lograr un mayor rendimiento y funciones más avanzadas, SRAM se ha convertido en un factor clave para mejorar la confiabilidad general del sistema. En particular, se requiere una alta confiabilidad para SRAM, que almacena información importante, como programas del sistema y datos de facturación, y las medidas para reducir los errores leves causados por los rayos alfa y los rayos de neutrones cósmicos están atrayendo una atención particular.
*característica*
* Suministro estable y soporte a largo plazo.
– Cuota de mercado LP SRAM WW: No.1 (Fuente: Renesas Electronics)
– Principales mercados para RENESAS SRAM: aplicaciones de equipos industriales
*Alineación extensa para todas las aplicaciones
– Tensión de alimentación: 3V / 5V (soporte continuado para piezas de 5V)
– Densidad: Lineup desde 256Kb hasta 64Mb
– Paquete: línea de paquetes variados
* Alta fiabilidad
– Sin errores leves
– Cierre libre