El R1LP5256E es un SRAM de bajo consumo y alto rendimiento que cuenta con una sola fuente de alimentación con baja corriente de reserva. Proporciona salidas de tres estados sin reloj ni actualización y fácil expansión de memoria.El R1LP5256E es un SRAM de bajo consumo y alto rendimiento que cuenta con una sola fuente de alimentación con baja corriente de reserva. Proporciona salidas de tres estados sin reloj ni actualización y fácil expansión de memoria.
La serie R1LP5256E es una familia de RAM estáticas de bajo voltaje de 256 kBit organizadas en 32 768 palabras x 8 bits, fabricadas con la tecnología TFT y CMOS de 0,15 µA de alto rendimiento de Renesas. La serie R1LP5256E ha logrado alta densidad, alto rendimiento y bajo consumo de energía. La serie R1LP5256E es adecuada para aplicaciones de memoria en las que la interfaz simple, el funcionamiento con batería y la batería de respaldo son objetivos de diseño clave. Empaquetado en SO de 28 pines y TSOP de 28 pines.
*característica*
* Fuente de alimentación única de 4,5 V a 5,5 V
* Corriente de reserva baja: 1 µA (5,0 V, típico)
* sin reloj, sin actualización
* Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
* Fácil expansión de memoria con CS#
* E/S de datos comunes
* Salida de tres estados: función de conexión O
* OE# evita la retención de datos en el bus de E/S