IXYS Corporation anuncia la expansión de su cartera de MOSFET de bajo voltaje con el dispositivo TrenchT3™ de 60 V. El dispositivo tiene una baja resistencia de encendido de 3,1 miliohmios y está diseñado para aplicaciones de conversión de energía en modo de conmutación de alta densidad de potencia.
Estos nuevos MOSFET pueden soportar temperaturas de unión de hasta 175 °C y están clasificados para avalanchas a altos niveles de corriente de avalancha, lo que garantiza la solidez del dispositivo en aplicaciones industriales exigentes. La alta capacidad de carga de corriente elimina la necesidad de conectar varios dispositivos en paralelo, lo que simplifica el sistema de energía y mejora la confiabilidad al mismo tiempo. Además, un diodo de cuerpo intrínseco rápido ayuda a lograr una alta eficiencia, especialmente durante la conmutación rápida.
Las aplicaciones industriales adecuadas incluyen accionamientos de motor cepillado, accionamientos de motor CC sin escobillas (BLDC), rectificación síncrona, fuentes de alimentación conmutadas de alta corriente, interruptores laterales primarios, convertidores CC-CC, control de potencia de drones, carretillas elevadoras eléctricas, vehículos eléctricos pequeños (LEV), cargadores de baterías , interruptores de energía de paneles solares, relés de estado sólido, aparatos inalámbricos y herramientas eléctricas.
Estos nuevos MOSFET de potencia TrenchT3TM HiPerFETTM de 60 V están disponibles en paquetes de tamaño estándar internacional TO-220, TO-263 y TO-247. Algunos ejemplos de números de pieza son IXFA220N06T3, IXFH220N06T3, IXFP270N06T3 e IXFH270N06T3. Los dos primeros son de 220 A y los dos últimos de 270 A.