Vishay Intertechnology, Inc. ha anunciado un nuevo MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV de canal n de 25 V. Cuenta con la resistencia de encendido máxima más baja de la industria para un dispositivo de este tipo (0,58 mΩ a 10 V). En las aplicaciones, Vishay Siliconix SiRA20DP ofrece la carga de puerta más baja y la figura de mérito (FOM) de carga de puerta x resistencia de activación para dispositivos con resistencia de activación inferior a 0,6 mΩ.
Vishay Intertechnology, Inc. ha anunciado un nuevo MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV de canal n de 25 V. Cuenta con la resistencia de encendido máxima más baja de la industria para un dispositivo de este tipo (0,58 mΩ a 10 V). En las aplicaciones, Vishay Siliconix SiRA20DP ofrece la carga de puerta más baja y la figura de mérito (FOM) de carga de puerta x resistencia de activación para dispositivos con resistencia de activación inferior a 0,6 mΩ.
Disponible en un paquete PowerPAK® SO-8 de 6 mm x 5 mm, este dispositivo es uno de los dos únicos MOSFET de 25 V en el mundo con una resistencia máxima de menos de 0,6 mΩ. En comparación, el SiRA20DP ofrece una carga de puerta típica más baja de 61 nC y un FOM un 32 % más bajo de 0,035 Ω*nC. Todos los demás MOSFET de canal n de 25 V tienen una resistencia de encendido del 11 % o superior.
La baja resistencia de encendido de SiRA20DP minimiza las pérdidas de energía por conducción para mejorar la eficiencia del sistema y permitir densidades de energía más altas. Esto es ideal para la funcionalidad de anillo OR en arquitecturas de energía redundantes. El FOM bajo del dispositivo mejora el rendimiento de conmutación para la conversión CC/CC en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, conmutación de batería en sistemas de batería y conmutación de carga en rieles de entrada de 5 V a 12 V.
Los MOSFET son 100% RG y UIS probados, cumplen con RoHS y no contienen halógenos.
Las muestras y las cantidades de producción del SiRA20DP ya están disponibles, con plazos de entrega de 15 semanas para pedidos grandes.