Los MOSFET SuperFET® II son la última familia de MOSFET de superunión (SJ) de alto voltaje de Fairchild Semiconductor que utilizan tecnología de balanceo de carga para brindar un excelente rendimiento de baja resistencia y carga de compuerta baja. Esta tecnología está diseñada para minimizar las pérdidas por conducción y proporcionar un excelente rendimiento de conmutación, índices dv/dt y mayor energía de avalancha. Además, un diodo ESD de fuente de compuerta interna le permite soportar más de 2 kV de sobretensión HBM. Esto hace que los MOSFET SuperFET II sean muy adecuados para aplicaciones de alimentación de conmutación como audio, adaptadores para portátiles, iluminación, fuentes de alimentación ATX y aplicaciones de alimentación industrial.El FCPF650N80Z es un MOSFET de superunión de canal N en un paquete TO-220F con una baja resistencia típica de encendido estático de 0,53 Ω, lo que permite un funcionamiento más frío y minimiza la pérdida de energía del sistema. Con un voltaje de ruptura de drenaje a fuente de hasta 800 V, el dispositivo puede soportar aplicaciones que requieren altos voltajes. Este transistor funciona mejor cuando se usa en el rango de temperatura de -55 °C a +150 °C.
Los MOSFET SuperFET® II son la última familia de MOSFET de superunión (SJ) de alto voltaje de Fairchild Semiconductor que utilizan tecnología de balanceo de carga para brindar un excelente rendimiento de baja resistencia y carga de compuerta baja. Esta tecnología está diseñada para minimizar las pérdidas por conducción y proporcionar un excelente rendimiento de conmutación, índices dv/dt y mayor energía de avalancha. Además, un diodo ESD de fuente de compuerta interna le permite soportar más de 2 kV de sobretensión HBM. Esto hace que los MOSFET SuperFET II sean muy adecuados para aplicaciones de alimentación de conmutación como audio, adaptadores para portátiles, iluminación, fuentes de alimentación ATX y aplicaciones de alimentación industrial.
*característica*
* RDS (encendido) = 530 mΩ (típico)
* Carga de puerta ultrabaja (típico Qg = 27 nC)
* Bajo Eoss (Típico 2.8 uJ @ 400V)
* Capacitancia de salida efectiva baja (Coss(eff.) típico = 124 pF)
* 100% probado contra avalanchas
* RoHS
* Capacidad ESD mejorada
*solicitud*
* Fuente de alimentación CA-CC
* Iluminación LED