STMicroelectronics ha presentado los primeros MOSFET de superunión MDmesh™ V con una nueva tecnología de empaquetado que mejora la eficiencia de los circuitos de alimentación en equipos como fuentes de alimentación conmutadas en electrodomésticos, televisores, PC, telecomunicaciones y servidores.STMicroelectronics ha presentado los primeros MOSFET de superunión MDmesh™ V con una nueva tecnología de empaquetado que mejora la eficiencia de los circuitos de alimentación en equipos como fuentes de alimentación conmutadas en electrodomésticos, televisores, PC, telecomunicaciones y servidores.
El nuevo paquete TO247-4 de 4 conductores proporciona una conexión de fuente directa que se usa solo para el control de conmutación, mientras que el paquete anterior proporciona una conexión única tanto para conmutación como para alimentación. El cable adicional aumenta la eficiencia de conmutación, reduce la pérdida de energía y permite una operación de frecuencia más alta en una fuente de alimentación más compacta.
ST co-desarrolló este paquete con Infineon. Infineon también presenta su nuevo dispositivo de superunión, que ofrece a los usuarios flexibilidad de segunda fuente. “El TO247-4 es rentable y requiere cambios mínimos en el diseño de la placa de circuito impreso cuando se reemplaza el dispositivo TO-247 estándar, lo que simplifica su adopción en los sistemas de energía”, dijo el transistor de potencia de STMicroelectronics. El director de marketing de la división, Maurizio Giudice, comentó: “Nuestro nuevo dispositivo MDmesh con este paquete puede mejorar el desempeño ambiental del equipo final al mejorar la eficiencia energética en modo activo”.
El paquete TO247-4 tiene una estructura interna innovadora que implementa una conexión Kelvin a la fuente. Esta conexión pasa por alto la inductancia de fuente común de la conexión de red, lo que elimina hasta un 60 % de las pérdidas de conmutación y permite a los diseñadores utilizar frecuencias de conmutación más altas que requieren componentes de filtrado más pequeños. La combinación de este nuevo paquete con la tecnología MDmesh Super-Junction de ST, que logra una de las mayores eficiencias de conducción por área de silicio, da como resultado el mayor ahorro de energía general posible.
Esta vez presentaré STW57N65M5-4. Primer dispositivo MDmesh lanzado en TO247-4 para permitir circuitos de corrección del factor de potencia (PFC) activos y una mayor eficiencia energética en convertidores de potencia de puente completo o medio puente para una variedad de productos electrónicos industriales y de consumo.
*Características adicionales para STW57N65M5-4 en TO247-4:*
* La alta inmunidad al ruido reduce la susceptibilidad a la interferencia electromagnética (EMI).
* Mayor voltaje nominal para aumentar el margen de seguridad
* Alta capacidad dv/dt para mayor confiabilidad
* Probado al 100 % contra avalanchas para su uso en diseños resistentes
*STW57N65M5-4 está en producción ahora, con un precio que comienza en $10.00 para pedidos de 1000 o más.
Consulte http://www.st.com/to247-4-pr para obtener más información.