Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) anunció hoy los nuevos MOSFET de potencia TrenchFET® Gen III dual de canal p de 20 V con voltaje de fuente de compuerta de 8 V que presenta la resistencia de encendido más baja jamás lograda para un dispositivo de canal p dual en un PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado de 2 mm x 2 mm.
MALVERN, Pa. – (Marketwire – 10 de febrero de 2011) – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) anunció hoy un nuevo TrenchFET® Gen III de canal p dual de 20 V con voltaje de fuente de compuerta de 8 V, que presenta la resistencia de encendido más baja jamás lograda para un dispositivo de canal p dual en un área de huella PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorada de 2 mm x 2 mm.
El nuevo SiA923EDJ se utiliza en convertidores CC/CC, cargadores e interruptores de carga para dispositivos portátiles como teléfonos inteligentes, reproductores de MP3, tabletas y libros electrónicos. La baja resistencia de encendido MOSFET da como resultado bajas pérdidas de conducción, ahorrando energía y extendiendo la vida útil de la batería entre cargas para estos dispositivos.
El SiA923EDJ ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 54 miliohmios a 4,5 V, 70 miliohmios a 2,5 V, 104 miliohmios a 1,8 V y 165 miliohmios a 1,5 V. El dispositivo de canal P de la competencia más cercano con una clasificación de puerta a fuente de 8 V tiene una resistencia de encendido de 60 miliohmios a 4,5 V y 80 miliohmios. Estos valores son un 10 %, 12 %, 5 % y 3 % superiores a los del SiA923EDJ respectivamente.
La clasificación de resistencia de encendido del MOSFET tan baja como 1,5 V permite que el dispositivo funcione con la compuerta de bajo voltaje y los voltajes de bus bajos comunes en los dispositivos portátiles sin el espacio y el costo de los circuitos de cambio de nivel. La menor resistencia de encendido del SiA923EDJ también significa una menor caída de voltaje en los picos de corriente, lo que puede prevenir mejor los eventos de bloqueo por bajo voltaje no deseados. El paquete compacto PowerPAK SC-70 de 2 mm x 2 mm tiene la mitad del tamaño del TSOP-6 con la misma o mejor resistencia y la capacidad de disipar un 65 % más de energía en las mismas condiciones ambientales.
El SiA923EDJ está probado al 100 % Rg, libre de halógenos según IEC 61249-2-21 y cumple con la directiva RoHS 2002/95/EC. Los MOSFET proporcionan una protección ESD típica de 2500 V.
El SiA923EDJ complementa el MOSFET de canal p SiA921EDJ de 20 V lanzado anteriormente con una clasificación de voltaje de puerta a fuente máxima de 12 V. Con el lanzamiento de SiA923EDJ, los diseñadores ahora pueden elegir entre el voltaje de accionamiento de compuerta más alto de SiA921EDJ o dispositivos con un voltaje de umbral más bajo y una resistencia de encendido más baja.
Las muestras y cantidades de volumen de los nuevos MOSFET de potencia SiA923EDJ TrenchFET ya están disponibles, con plazos de entrega de 14 a 16 semanas para pedidos grandes. Siga los MOSFET de potencia de TrenchFET en http://twitter.com/vishayindust.
Vishay Intertechnology, Inc., una empresa Fortune 1000 que cotiza en la Bolsa de Valores de Nueva York (VSH), es uno de los mayores fabricantes del mundo de semiconductores discretos (diodos, MOSFET, optoelectrónica infrarroja) y componentes electrónicos pasivos (resistencias, inductores, condensadores). Estos componentes se utilizan en casi todos los tipos de dispositivos y equipos electrónicos en los mercados industrial, informático, automotriz, de consumo, de telecomunicaciones, militar, aeroespacial, energético y médico. Vishay se ha convertido en un líder mundial de la industria a través de la innovación de productos, estrategias de adquisición exitosas y servicios de “ventanilla única”. Vishay está disponible en Internet en www.vishay.com.
TrenchFET y PowerPAK son marcas registradas de Siliconix Corporation.