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    Electrónica

    MOSFET de potencia SiC de canal N – EEWeb

    1 Min Read Electrónica
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    MOSFET de potencia SiC de canal N - EEWeb
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    El SCT2450KE es un MOSFET plano de SiC (carburo de silicio). (SiC-SBD no está incluido) Las características incluyen alto voltaje de ruptura, baja resistencia y velocidad de conmutación rápida.

    característica

    • baja resistencia
    • velocidad de conmutación rápida
    • recuperación inversa rápida
    • Fácil de paralelizar
    • Fácil de conducir
    • Recubrimiento de plomo sin plomo; cumple con RoHS

    solicitud

    • inversor de energía solar
    • Convertidor CC/CC
    • fuente de alimentación conmutada
    • calentamiento por inducción
    • accionamiento por motor

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