Vishay Intertechnology, Inc. presenta el primer MOSFET de potencia de canal p de la industria en el paquete de escala de chip de 0,8 mm x 0,8 mm más pequeño de la industria. El producto también presenta los primeros dispositivos de canal n y p que ofrecen índices de resistencia de tan solo 1,2 V. tamaño del paquete Los MOSFET de potencia TrenchFET® Si8802DB de canal n y Si8805EDB de canal p de 8 V en el paquete MICRO FOOT® ocupan hasta un 36 % menos de espacio en la placa que el siguiente dispositivo más pequeño a escala de chip, pero ofrecen la misma o incluso menor resistencia de encendido.
Vishay Intertechnology, Inc. presenta el primer MOSFET de potencia de canal p de la industria en el paquete de escala de chip de 0,8 mm x 0,8 mm más pequeño de la industria. El producto también presenta los primeros dispositivos de canal n y p que ofrecen índices de resistencia de tan solo 1,2 V. tamaño del paquete Los MOSFET de potencia TrenchFET® Si8802DB de canal n y Si8805EDB de canal p de 8 V en el paquete MICRO FOOT® ocupan hasta un 36 % menos de espacio en la placa que el siguiente dispositivo más pequeño a escala de chip, pero ofrecen la misma o incluso menor resistencia de encendido.
El Si8802DB y el Si8805EDB se utilizan para dispositivos portátiles de conmutación de carga, como teléfonos inteligentes, tabletas, reproductores multimedia portátiles y dispositivos informáticos móviles. El perfil ultrafino de 0,357 mm del MOSFET ahorra un valioso espacio en la placa en estas aplicaciones, lo que permite productos móviles más pequeños y delgados.
Los dispositivos lanzados hoy cuentan con una baja resistencia de encendido a 1,5 V, con el beneficio adicional de especificar una resistencia de encendido con solo un controlador de compuerta de 1,2 V. Esto simplifica el diseño al permitir que el MOSFET funcione desde los rieles de alimentación de bajo voltaje comunes en los dispositivos portátiles. Esto elimina la necesidad de resistencias adicionales y fuentes de voltaje para la conmutación de carga de canal p y extiende la duración de la batería entre cargas con la conmutación de carga de canal n.
La resistencia de encendido del Si8802DB de canal n es de 54 mΩ a 4,5 V, 60 mΩ a 2,5 V, 68 mΩ a 1,8 V, 86 mΩ a 1,5 V y 135 mΩ a 1,2 V. El contorno del paquete del dispositivo es un 36 % más pequeño. La resistencia a 1,8 V y 1,5 V es un 5,5 % y un 7,5 % más baja que el siguiente dispositivo más pequeño, respectivamente.
El Si8805EDB de canal P tiene una resistencia de encendido de 68 mΩ a 4,5 V, 88 mΩ a 2,5 V, 155 mΩ a 1,5 V y 290 mΩ a 1,2 V. Al mismo tiempo, ocupa un 29 % menos de espacio en la placa que el siguiente dispositivo más pequeño de canal P. Los valores de resistencia en 4,5 V y 2,5 V siguen siendo un 17 % y un 8 % más bajos, respectivamente. La baja resistencia de encendido del Si8802DB y Si8805EDB minimiza la caída de voltaje en el interruptor de carga y evita el bloqueo por bajo voltaje no deseado.
Este dispositivo no contiene halógenos según la definición de IEC 61249-2-21 y cumple con la directiva RoHS 2002/95/EC. El Si8805EDB ofrece protección ESD de 1500 V.
Las muestras y las cantidades de volumen de los nuevos MOSFET de potencia TrenchFET Si8802DB y Si8805EDB ya están disponibles, con plazos de entrega de 12 a 14 semanas para pedidos grandes.