El CSD17575Q3 es un MOSFET de potencia de 30 VN Channel™ con una resistencia de encendido de fuente de drenaje de 1,9 mΩ. Este dispositivo está destinado a minimizar las pérdidas en las aplicaciones de conversión de energía. Se adopta el paquete SON 3×3.El CSD17575Q3 es un MOSFET de potencia de 30 VN Channel™ con una resistencia de encendido de fuente de drenaje de 1,9 mΩ. Este dispositivo está destinado a minimizar las pérdidas en las aplicaciones de conversión de energía. Se adopta el paquete SON 3×3.
*característica*
* Bajo Qg y Qgd
* RDS bajo (activado)
* Baja resistencia térmica
* Calificación de avalancha
* Revestimiento de terminales sin plomo
* RoHS
* libre de halógeno
*SON Paquete de plástico de 3,3 mm × 3,3 mm