IXYS anuncia la disponibilidad de MOSFET de potencia de clase X3 de ultraunión de 250 V que ofrecen la mejor resistencia en estado y carga de compuerta de su clase. Con una resistencia y una carga de compuerta tan bajas como 4,5 miliohmios y 21 nanoculombios, respectivamente, estos dispositivos ofrecen la mayor densidad de potencia y eficiencia energética en una variedad de aplicaciones de conversión de potencia de alta velocidad.
Desarrollados utilizando principios de compensación de carga y tecnología de proceso patentada, los nuevos MOSFET ofrecen la mejor cifra de mérito de su clase (carga de compuerta x en resistencia) y minimizan las pérdidas de conducción y conmutación. Ofrecen la resistencia en estado activo más baja de la industria (p. ej., 5 miliohmios para el paquete TO-264 y 4,5 miliohmios para el SOT-227).
Diodos de cuerpo intrínseco de alta velocidad (HiPerFET)MT) Los MOSFET exhiben características de recuperación muy suave, minimizando el sobreimpulso de voltaje y la interferencia electromagnética (EMI), especialmente en topologías de medio puente o puente completo. Con menos carga y tiempo de recuperación inversa, el diodo puede eliminar toda la energía restante durante la conmutación rápida para evitar fallas en el dispositivo y lograr una alta eficiencia.
Además, estos nuevos dispositivos tienen capacidad para avalanchas y exhiben un excelente rendimiento de dv/dt. Son robustos contra fallas de dispositivos causadas por picos de voltaje y encendidos accidentales de transistores bipolares parásitos inherentes a las estructuras MOSFET. Como resultado, estos dispositivos robustos requieren menos amortiguadores y se pueden usar en convertidores de potencia de conmutación tanto duros como suaves.
Las aplicaciones adecuadas incluyen cargadores de batería de vehículos eléctricos pequeños (LEV), rectificación síncrona de fuentes de alimentación conmutadas, control de motores, convertidores CC-CC, fuentes de alimentación ininterrumpida, control de motores, convertidores CC-CC, fuentes de alimentación ininterrumpida, carretillas elevadoras eléctricas, amplificadores de audio D, sistemas de telecomunicaciones
Nuevo MOSFET de potencia de clase X3 de 250 V con HiPerFETMT Los diodos del cuerpo están disponibles en los siguientes paquetes de tamaño estándar internacional: TO-220 (sobremoldeado o estándar), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227 Los números incluyen IXFA60N25X3 , IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV, IXFT170N25X3HV y IXFK240N25X3 con clasificaciones de corriente de 60A, 80A, 170A y 240A respectivamente.