Vishay Intertechnology ha anunciado un nuevo dispositivo único de 12 V en un paquete PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado de 2 mm x 2 mm y un dispositivo único de 3 mm x 1,8 mm MOSFET de potencia de canal p TrenchFET® Gen III de 30 V. Familia ampliada. Paquete delgado PowerPAK ChipFET de 0,8 mm. Ambos MOSFET combinan un tamaño compacto con la resistencia de encendido más baja de la industria a 4,5 V en sus respectivos factores de forma.
Vishay Siliconix amplía la tecnología TrenchFET® Gen III de canal P a MOSFET únicos de 12 V y 30 V
El dispositivo ofrece la resistencia de encendido más baja de la industria de 13,5 mΩ en un área de huella de 2 mm x 2 mm y 22 mΩ en un área de huella de 3 mm x 1,8 mm a 4,5 V
Vishay Intertechnology ha anunciado un nuevo dispositivo único de 12 V en un paquete PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado de 2 mm x 2 mm y un dispositivo único de 3 mm x 1,8 mm MOSFET de potencia de canal p TrenchFET® Gen III de 30 V. Familia ampliada. Paquete delgado PowerPAK ChipFET de 0,8 mm. Ambos MOSFET combinan un tamaño compacto con la resistencia de encendido más baja de la industria a 4,5 V en sus respectivos factores de forma.
Ofrecido en un paquete ultrapequeño PowerPAK SC-70, el SiA447DJ de 12 V presenta una resistencia de encendido de 13,5 mΩ a 4,5 V, que es un 12 % más baja que el dispositivo más cercano de la competencia. Además, el SiA447DJ ofrece bajas resistencias de encendido de 19,4 mΩ a 2,5 V, 35 mΩ a 1,8 V y 71 mΩ a 1,5 V. El Si5429DU de 30 V es el primer MOSFET de canal p de tercera generación de 3 mm x 1,8 mm. Tiene un factor de forma grande y una resistencia de encendido de 22 mΩ a 4,5 V, que es un 35 % más baja que el dispositivo más cercano de la competencia. Además, los MOSFET ofrecen la resistencia de encendido más baja de la industria de 15 mΩ a 10 V.
El SiA447DJ y el Si5429DU se utilizan para la batería o la conmutación de carga en aplicaciones de administración de energía en dispositivos electrónicos portátiles como teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos informáticos móviles. El empaque compacto de los MOSFET ahorra espacio en la placa de circuito impreso en estos productos, y la baja resistencia de encendido da como resultado menores pérdidas de conducción, menor consumo de energía y una mayor duración de la batería entre cargas. Una resistencia de encendido MOSFET baja también significa una baja caída de voltaje en el interruptor de carga, lo que evita el bloqueo por bajo voltaje no deseado.
El Si5429DU tiene una clasificación de 30 V, lo que lo convierte en un dispositivo ideal para productos finales con baterías de iones de litio de celdas múltiples, donde el SiA447DJ se usa cuando el tamaño y la baja resistencia son importantes. Además, la clasificación de baja resistencia de encendido de 1,5 V del SiA447DJ permite que el dispositivo funcione con controladores de compuerta de bajo voltaje y voltajes de bus bajos comunes en dispositivos portátiles, lo que ahorra espacio y costos en los circuitos de cambio de nivel.
El SiA447DJ y el Si5429DU están probados al 100 % con Rg, cumplen con RoHS y no contienen halógenos. Para obtener más información sobre cómo seleccionar MOSFET de canal p TrenchFET Gen III para su aplicación, visite http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/.
Las muestras y cantidades de volumen de los nuevos MOSFET de potencia TrenchFET SiA447DJ y Si5429DU ya están disponibles, con plazos de entrega de 12 a 14 semanas para pedidos grandes.