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    Inicio - MOSFET de potencia de canal N de baja resistencia de 600 V, 11 A
    Electrónica

    MOSFET de potencia de canal N de baja resistencia de 600 V, 11 A

    1 Min Read Electrónica
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    MOSFET de potencia de canal N de baja resistencia de 600 V, 11 A
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    El R6007KNJ es un MOSFET de potencia diseñado para baja resistencia y velocidad de conmutación ultrarrápida. Además, el dispositivo tiene un voltaje de fuente de drenaje de 600 V, una resistencia de fuente de drenaje máxima de 0,39 Ω, una corriente de drenaje de ±11 A y un consumo de energía de 124 W.

    característica

    • Resistencia de encendido baja
    • Velocidad de conmutación ultrarrápida
    • Fácil de usar en paralelo
    • Recubrimiento de plomo sin plomo; cumple con RoHS

    solicitud

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