Vishay Intertechnology, Inc. ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia TrenchFET® de canal n de 100 V que amplían la tecnología ThunderFET® de Vishay a tamaños de paquete más pequeños. El SiB456DK y el SiA416DJ son los primeros dispositivos de canal N de 100 V de la industria en espacios compactos PowerPAK® SC-75 térmicamente mejorados de 1,6 mm x 1,6 mm y PowerPAK SC-70 de 2 mm x 2 mm. Logra la siguiente resistencia de encendido: 200mΩ y 100mΩ respectivamente.Vishay Intertechnology, Inc. ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia TrenchFET® de canal n de 100 V que amplían la tecnología ThunderFET® de Vishay a tamaños de paquete más pequeños. El SiB456DK y el SiA416DJ son los primeros dispositivos de canal N de 100 V de la industria en espacios compactos PowerPAK® SC-75 térmicamente mejorados de 1,6 mm x 1,6 mm y PowerPAK SC-70 de 2 mm x 2 mm. Logra la siguiente resistencia de encendido: 200mΩ y 100mΩ respectivamente.
Los MOSFET lanzados hoy están optimizados para la conmutación del lado primario de convertidores elevadores, inversores de CC/CA de baja potencia, pequeños convertidores de CC/CC para ladrillos de comunicación, aplicaciones de punto de carga e iluminación LED en dispositivos portátiles. Para los diseñadores, los paquetes ultrapequeños PowerPAK SC-75 y PowerPAK SC-70 del dispositivo ahorran espacio en la PCB en estas aplicaciones, mientras que su baja resistencia reduce las pérdidas de conducción, reduce el consumo de energía y aumenta la eficiencia. Además, la clasificación de resistencia de encendido del MOSFET es tan baja como 4,5 V, lo que simplifica el control de la compuerta.
Para aplicaciones en las que la resistencia de encendido es más importante que el tamaño, el SiA416DJ de 2 mm x 2 mm ofrece una resistencia de encendido máxima de 83 mΩ a 10 V y 130 mΩ a 4,5 V, donde la carga de compuerta baja multiplicada por la resistencia de encendido es importante. La cifra de mérito (FOM) de un MOSFET en una aplicación de convertidor CC/CC es de 540 mΩ-nC a 10 V y 455 mΩ-nC a 4,5 V. Para aplicaciones donde el tamaño es más importante, el SiB456DK de 1,6 mm x 1,6 mm ofrece el mejor rendimiento. – La resistencia es de 185 mΩ a 10 V, 310 mΩ a 4,5 V, FOM es de 611 mΩ-nC a 10 V, 558 mΩ-nC a 4,5 V.
SiB456DK y SiA416DJ son 100 % Rg y están probados por UIS. Los MOSFET no contienen halógenos según la definición JEDEC JS709A y cumplen con la directiva RoHS 2011/65/EU.
Las muestras y las cantidades de volumen de los nuevos MOSFET ya están disponibles, con plazos de entrega de 12 a 14 semanas para pedidos grandes.