Vishay Intertechnology, Inc. lanzó hoy dos nuevos MOSFET de potencia TrenchFET® de canal n de 100 V con índices de resistencia de tan solo 4,5 V VGS en paquetes SO-8 y PowerPAK® SO-8. Utilizando la nueva tecnología ThunderFET® de Vishay, el SiR870DP y el Si4190DY ofrecen la resistencia de encendido más baja de la industria para un MOSFET de 100 V con una clasificación de 4,5 V.
Vishay Intertechnology, Inc. lanzó hoy dos nuevos MOSFET de potencia TrenchFET® de canal n de 100 V con índices de resistencia de tan solo 4,5 V VGS en paquetes SO-8 y PowerPAK® SO-8. Utilizando la nueva tecnología ThunderFET® de Vishay, el SiR870DP y el Si4190DY ofrecen la resistencia de encendido más baja de la industria para un MOSFET de 100 V con una clasificación de 4,5 V. Además, el producto de resistencia y carga de compuerta (la cifra clave de mérito (FOM) para MOSFET en aplicaciones de convertidor CC/CC) también es el mejor de su clase.
El SiR870DP tiene la resistencia de encendido más baja de la industria con 7,8 mΩ a 4,5 V. Este MOSFET también ofrece una muy baja resistencia de encendido de 6 mΩ a 10 V. Para los diseñadores, la baja resistencia de encendido del dispositivo se traduce en menores pérdidas de conducción y menor consumo de energía para soluciones ecológicas de ahorro de energía.
Con el FOM de 208 mΩ-nC más bajo de la industria a 4,5 V, el SiR870DP combina bajas pérdidas de conducción y conmutación para aplicaciones de conmutación y alta frecuencia. Para los diseñadores que desean dispositivos en el paquete SO-8, la resistencia de encendido del Si4190DY de 8,8 mΩ a 10 V y 12 mΩ a 4,5 V, más un FOM de 340 mΩ-nC a 10 V y 220 mΩ-nC a 4,5 V volverse necesario. Lo mejor en la industria.
Los dispositivos lanzados hoy están optimizados para la conmutación del lado primario y la rectificación síncrona del lado secundario en diseños de fuentes de alimentación de CC/CC aisladas para aplicaciones de convertidores de bus y ladrillos de comunicación. El MOSFET tiene una clasificación de resistencia de 4,5 V, por lo que se puede considerar una amplia gama de circuitos integrados de controlador de compuerta y PWM. El uso de un IC con clasificación de 5 V simplifica el diseño general al reducir las pérdidas del controlador de compuerta y eliminar la necesidad de un riel de alimentación de 12 V separado.
SiR870DP y Si4190DY son 100 % Rg y están probados por UIS. Los MOSFET no contienen halógenos según se define en IEC 61249-2-21 y cumplen con la directiva RoHS 2002/95/EC.
Las muestras y las cantidades en volumen de los nuevos MOSFET ya están disponibles, con plazos de entrega de 16 semanas para pedidos grandes.