El MKE11R600DCGFC es un dispositivo de potencia con MOSFET de potencia CoolMOS™ de alta velocidad de cuarta generación, que logra una alta capacidad de bloqueo y baja resistencia térmica debido al grosor reducido del chip. Mayor densidad de potencia total utilizada normalmente en aplicaciones de fuente de alimentación como SMPS, UPS y PFC.
característica
- Sustrato de banda de cobre directo de silicio en chip
- alto consumo de energía
- Superficie de montaje aislada
- aislamiento eléctrico de 2500 V
- Baja capacitancia de drenaje a la tina (<40 pF)
- Rápido CoolMOS™ Power MOSFET Gen 4
- alta capacidad de ruptura
- resistencia mínima
- Clasificación de avalancha para conmutación inductiva sin sujeción (UIS)
- Baja resistencia térmica debido a la reducción del espesor de la viruta
- Mayor densidad de potencia total
- Diodo de refuerzo de SiC
- Sin corriente de recuperación inversa
solicitud
- Fuente de alimentación conmutada (SMPS)
- Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)
- Corrección del factor de potencia (PFC)
ventaja
- Fácil montaje: no se requieren tornillos ni lámina aislante.
- Ahorro de espacio
- alta densidad de potencia
- Alta fiabilidad
CoolMOS™ es una marca registrada de Infineon Technologies AG.