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    MOSFET de menor potencia de resistencia – EEWeb

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    MOSFET de menor potencia de resistencia - EEWeb
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    Alpha and Omega Semiconductor Limited ha anunciado el lanzamiento del dispositivo insignia de su nueva cartera de media tensión AlphaMOS™ de 150 V, el AON6250. El AON6250 es ideal para una amplia gama de aplicaciones que superan los límites de eficiencia, incluida la conmutación del lado primario y secundario en convertidores CC/CC industriales y de telecomunicaciones, la rectificación síncrona del lado secundario en convertidores CC/CC y CA/CC. También se incluyen microinversores fotovoltaicos, módulos POL para sistemas de comunicación y más.Alpha and Omega Semiconductor Limited ha anunciado el lanzamiento del dispositivo insignia de su nueva cartera de media tensión AlphaMOS™ de 150 V, el AON6250. El AON6250 es ideal para una amplia gama de aplicaciones que superan los límites de eficiencia, incluida la conmutación del lado primario y secundario en convertidores CC/CC industriales y de telecomunicaciones, la rectificación síncrona del lado secundario en convertidores CC/CC y CA/CC. También se incluyen microinversores fotovoltaicos, módulos POL para sistemas de comunicación y más.

    Con la avanzada tecnología de silicio AlphaMOS, AON6250 ofrece una combinación optimizada de resistencia de encendido líder en la industria y rendimiento de conmutación rápida. La resistencia de encendido del dispositivo es un 57 % inferior a la de la generación anterior y un 8 % inferior a la de los principales dispositivos de 150 V del mercado actual. Además, AON6250 ofrece la cifra de mérito RDS(ON)*COSS más alta del mercado, lo que reduce la pérdida de energía que se produce durante la conmutación. El resultado es una mayor eficiencia en condiciones de carga ligera y pesada. El dispositivo viene en un paquete verde DFN5x6 de tamaño compacto y es 100% Rg y UIS probado. El AON6250 es el buque insignia de una nueva cartera de productos de 150V.

    “Los diseñadores de sistemas de energía se enfrentan constantemente al desafío de brindar soluciones eficientes para cumplir con los crecientes requisitos de energía y al mismo tiempo reducir el espacio de la placa”, dijo Stephen Chang, gerente senior de marketing de productos de AOS. “La combinación de RDS(ON) ultrabajo y COSS bajo permite que el AON6250 proporcione la densidad de potencia y el rendimiento de conmutación requeridos”.

    *Aspectos destacados de la tecnología AON6250*
    MOSFET de canal N de 150 V en paquete DFN5x6
    RDS (activado)

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