Vishay Intertechnology ha presentado dos MOSFET de potencia TrenchFET® dual de canal n de 40 V con calificación AEC Q101 en un paquete PowerPAK® SO-8L asimétrico. Vishay Siliconix SQJ940EP y SQJ942EP para aplicaciones automotrices integran los MOSFET de lado alto y bajo necesarios para convertidores reductores de CC/CC síncronos de alta eficiencia en un paquete compacto de 5 mm x 6 mm, lo que elimina los MOSFET discretos. -La resistencia se reduce a 6,4 mΩ mientras se ahorra espacio en comparación con su uso.Vishay Intertechnology ha presentado dos MOSFET de potencia TrenchFET® dual de canal n de 40 V con calificación AEC Q101 en un paquete PowerPAK® SO-8L asimétrico. Vishay Siliconix SQJ940EP y SQJ942EP para aplicaciones automotrices integran los MOSFET de lado alto y bajo necesarios para convertidores reductores de CC/CC síncronos de alta eficiencia en un paquete compacto de 5 mm x 6 mm, lo que elimina los MOSFET discretos. -La resistencia se reduce a 6,4 mΩ mientras se ahorra espacio en comparación con su uso.
Entre los primeros MOSFET duales calificados para automóviles de la industria en un paquete asimétrico que aumenta el tamaño del MOSFET de lado bajo para reducir las pérdidas por conducción, los MOSFET lanzados hoy tienen una clasificación de +175 °C para brindar robustez y confiabilidad Lograr un funcionamiento a alta temperatura. Requerido para aplicaciones en cualquier parte del vehículo. El dispositivo es especialmente adecuado para la telemática de vehículos, como sistemas de radio y GPS.
El SQJ940EP y el SQJ942EP ofrecen a los diseñadores una selección de diferentes valores de resistencia. El SQJ940EP ofrece una resistencia de encendido máxima baja de 6,4 mΩ para el MOSFET de lado bajo del canal 2 y de 16 mΩ para el MOSFET de lado alto del canal 1 a una clasificación de 10 V. En comparación con las soluciones simétricas duales, el SQJ940EP ofrece un 31 % menos de resistencia en el lado bajo mientras mantiene un factor de forma compacto. El SQJ942EP ofrece una resistencia de encendido máxima de 11 mΩ para el MOSFET de lado bajo y 22 mΩ para el MOSFET de lado alto a 10 V.
Los MOSFET 100 % probados por Rg y UIS cumplen con RoHS y no contienen halógenos.