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    MOSFET de canal P de paquete pequeño – EEWeb

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    MOSFET de canal P de paquete pequeño - EEWeb
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    Diodes, Inc., un fabricante y proveedor líder a nivel mundial de productos estándar específicos de aplicaciones de alta calidad para los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos y analógicos, presenta el MOSFET de canal P DMP1245UFCL. Para ayudar a mejorar la eficiencia de la batería y reducir el espacio en la placa, el diminuto MOSFET de modo de mejora de canal P de 12 V DMP1245UFCL está diseñado para cumplir con los requisitos de los diseñadores de productos portátiles con limitaciones de espacio, como teléfonos inteligentes y tabletas.

    Diodes, Inc., un fabricante y proveedor líder a nivel mundial de productos estándar específicos de aplicaciones de alta calidad para los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos y analógicos, presenta el MOSFET de canal P DMP1245UFCL. Para ayudar a mejorar la eficiencia de la batería y reducir el espacio en la placa, el diminuto MOSFET de modo de mejora de canal P de 12 V DMP1245UFCL está diseñado para cumplir con los requisitos de los diseñadores de productos portátiles con limitaciones de espacio, como teléfonos inteligentes y tabletas.

    Los MOSFET vienen en un paquete DFN1616 ultra pequeño y térmicamente eficiente y cuentan con un RDS (encendido) muy bajo para minimizar las pérdidas de conducción, lo que resulta en una mayor duración de la batería. Por ejemplo, el rendimiento de resistencia de un MOSFET de 29 mΩ a 4,5 V VGS es un 15 % mejor que el de su competidor más cercano, lo que beneficia a las aplicaciones generales de conmutación de carga y desconexión de la batería.

    El DFN1616 tiene un perfil externo típico de 0,5 mm, que es un 20 % más delgado que el equivalente de la competencia y ocupa solo 2,56 mm2 de área de PCB, que es el 55 % del área ocupada por el paquete alternativo más grande de 2 mm x 2 mm.

    El DMP1245UFCL también brinda a los usuarios el beneficio adicional de una protección mejorada contra ESD. Con una protección de puerta especificada en 3 kV (50 % más alta que el equivalente más cercano), los MOSFET son altamente inmunes a los efectos ESD creados por el hombre. Para obtener más información, visite nuestro sitio web en www.diodes.com.

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