Close Menu
    Facebook X (Twitter) Instagram
    Facebook YouTube LinkedIn
    Industry SurferIndustry Surfer
    Inicio - MOSFET de canal P de paquete pequeño – EEWeb
    Electrónica

    MOSFET de canal P de paquete pequeño – EEWeb

    2 Mins Read Electrónica
    Facebook Twitter Pinterest LinkedIn Tumblr Email
    MOSFET de canal P de paquete pequeño - EEWeb
    Share
    Facebook Twitter LinkedIn Pinterest Email

    Diodes, Inc., un fabricante y proveedor líder a nivel mundial de productos estándar específicos de aplicaciones de alta calidad para los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos y analógicos, presenta el MOSFET de canal P DMP1245UFCL. Para ayudar a mejorar la eficiencia de la batería y reducir el espacio en la placa, el diminuto MOSFET de modo de mejora de canal P de 12 V DMP1245UFCL está diseñado para cumplir con los requisitos de los diseñadores de productos portátiles con limitaciones de espacio, como teléfonos inteligentes y tabletas.

    Diodes, Inc., un fabricante y proveedor líder a nivel mundial de productos estándar específicos de aplicaciones de alta calidad para los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos y analógicos, presenta el MOSFET de canal P DMP1245UFCL. Para ayudar a mejorar la eficiencia de la batería y reducir el espacio en la placa, el diminuto MOSFET de modo de mejora de canal P de 12 V DMP1245UFCL está diseñado para cumplir con los requisitos de los diseñadores de productos portátiles con limitaciones de espacio, como teléfonos inteligentes y tabletas.

    Los MOSFET vienen en un paquete DFN1616 ultra pequeño y térmicamente eficiente y cuentan con un RDS (encendido) muy bajo para minimizar las pérdidas de conducción, lo que resulta en una mayor duración de la batería. Por ejemplo, el rendimiento de resistencia de un MOSFET de 29 mΩ a 4,5 V VGS es un 15 % mejor que el de su competidor más cercano, lo que beneficia a las aplicaciones generales de conmutación de carga y desconexión de la batería.

    El DFN1616 tiene un perfil externo típico de 0,5 mm, que es un 20 % más delgado que el equivalente de la competencia y ocupa solo 2,56 mm2 de área de PCB, que es el 55 % del área ocupada por el paquete alternativo más grande de 2 mm x 2 mm.

    El DMP1245UFCL también brinda a los usuarios el beneficio adicional de una protección mejorada contra ESD. Con una protección de puerta especificada en 3 kV (50 % más alta que el equivalente más cercano), los MOSFET son altamente inmunes a los efectos ESD creados por el hombre. Para obtener más información, visite nuestro sitio web en www.diodes.com.

    Share. Facebook Twitter Pinterest LinkedIn Tumblr Email

    Entradas relacionadas

    ESD Alliance agrega CEMWorks a la comunidad de miembros

    Renesas Electronics anuncia el sintetizador de ondas milimétricas de banda ancha de mayor rendimiento de la industria

    Microchip amplía familia SiC para mejorar eficiencia, tamaño y fiabilidad.

    Entradas recientes
    ¿Qué es el campo magnético y cómo funciona?
    circuito capacitivo de ca
    circuito inductivo ca
    ¿Cómo probar un diodo? Uso de multímetros analógicos y digitales (DMM)
    Noticias industrial
    ¿Qué es el campo magnético y cómo funciona?
    circuito capacitivo de ca
    circuito inductivo ca
    ¿Cómo probar un diodo? Uso de multímetros analógicos y digitales (DMM)
    Facebook YouTube LinkedIn
    © 2025 Hecho con ♥ desde México

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Ir a la versión móvil