Vishay Intertechnology, Inc. anunció Siliconix SiA446DJ, el primer MOSFET de canal n de la compañía con un voltaje de fuente de drenaje de hasta 150 V. El dispositivo está alojado en un paquete PowerPAK® SC-70 compacto y térmicamente mejorado. Siliconix SiA446DJ tiene la resistencia de encendido más baja de 10 V en un espacio de 2 mm x 2 mm y está diseñado para una amplia gama de aplicaciones en áreas con limitaciones de espacio para mejorar la eficiencia al reducir las pérdidas de conducción y conmutación.
Vishay Intertechnology, Inc. anunció Siliconix SiA446DJ, el primer MOSFET de canal n de la compañía con un voltaje de fuente de drenaje de hasta 150 V. El dispositivo está alojado en un paquete PowerPAK® SC-70 compacto y térmicamente mejorado. Siliconix SiA446DJ tiene la resistencia de encendido más baja de 10 V en un espacio de 2 mm x 2 mm y está diseñado para una amplia gama de aplicaciones en áreas con limitaciones de espacio para mejorar la eficiencia al reducir las pérdidas de conducción y conmutación.
El SiA446DJ es una rectificación síncrona y conmutación de carga para aplicaciones de gestión de energía en conmutación primaria de convertidor CC/CC aislado, convertidor elevador de retroiluminación LED, conmutador PD de alimentación a través de Ethernet (PoE), ladrillos CC/CC de telecomunicaciones y dispositivos portátiles optimizados para dispositivo electronico. Para estas aplicaciones, el PowerPAK SC-70 es un 55 % más pequeño y tiene una resistencia térmica un 40 % más baja que el paquete TSOP-6 de 3 mm x 2,8 mm.
Basado en la tecnología ThunderFET®, el SiA446DJ ofrece una resistencia de encendido máxima baja de 177 mΩ a 10 V, 185 mΩ a 7,5 V y 250 mΩ a 6 V. La resistencia de encendido del dispositivo a 10 V es un 53 % inferior a la de su predecesor. Un dispositivo de generación en el paquete TSOP-6, pero su resistencia de encendido típica multiplicada por la cifra de mérito para la carga de puerta a 10 V es un 54 % más baja, lo que mejora la eficiencia. Además, el SiA446DJ ofrece una resistencia de encendido un 26 % menor que el último dispositivo de la competencia en un paquete SOT-23 de 3 mm x 2,7 mm.
Expandiendo la cartera de MOSFET de voltaje medio de Vishay en paquetes compactos térmicamente mejorados, SiA446DJ se une al SiA416DJ de 100 V lanzado anteriormente en PowerPAK SC-70 y al SiB456DK de 100 V en PowerPAK SC-75. Probado al 100 % por RG y UIS, el dispositivo cumple con RoHS y no contiene halógenos.
*característica*
* La tecnología ThunderFET® optimiza el equilibrio de RDS(on), Qg, Qsw y Qoss.
* 100 % Rg y UIS probado
*solicitud*
* Convertidor CC/CC/Convertidor elevador
* Rectificación síncrona
* Gestión de energía
* Luz de fondo LED