Renesas Electronics anuncia tres nuevos productos con baja resistencia [Note 1] MOSFET [Note 2] Productos que contienen μPA2766T1A optimizados para su uso como junta tórica [Note 3] FET utilizados en unidades de fuente de alimentación para servidores de red y sistemas de almacenamiento.Renesas Electronics anuncia tres nuevos productos con baja resistencia [Note 1] MOSFET [Note 2] Productos que contienen μPA2766T1A optimizados para su uso como junta tórica [Note 3] FET utilizados en unidades de fuente de alimentación para servidores de red y sistemas de almacenamiento.
El nuevo producto logra la resistencia de encendido más baja de la industria de 0,72 mΩ (valor típico) a 30 V, aproximadamente un 50 % menos de resistencia que los productos existentes de Renesas, y utiliza un paquete compacto de montaje en superficie de alta eficiencia (HVSON de 8 pines). Hizo. Los productos que logran un control de alta corriente en un paquete más pequeño contribuyen al ahorro de energía y la miniaturización de las unidades de fuente de alimentación utilizadas en sistemas de almacenamiento de servidor de escala relativamente grande.
En los sistemas de misión crítica, es común proporcionar fuentes de alimentación redundantes. En otras palabras, los FET y varias unidades de fuente de alimentación se combinan para mantener una alta confiabilidad en los sistemas de almacenamiento del servidor. Estos FET ORing están conectados a las líneas de salida de la fuente de alimentación de cada unidad de fuente de alimentación. Permanece encendido durante el funcionamiento normal, pero si una de las unidades de suministro de energía falla, el FET de ORing de esa unidad cambia al estado apagado, aislándolo de las otras unidades de suministro de energía y asegurando que la unidad fallida funcione. No interrumpe la alimentación del sistema.
Durante el funcionamiento normal, las líneas de salida de la fuente de alimentación manejan grandes corrientes de decenas a cientos de amperios. Los FET ORing deben tener características de baja resistencia para evitar mayores pérdidas de conducción y tensión de alimentación reducida.
En respuesta a esta necesidad, Renesas ha desarrollado tres MOSFET basados en su nuevo proceso de baja resistencia en estado activo. Los nuevos µPA2764T1A, µPA2765T1A y µPA2766T1A satisfacen esta necesidad y ofrecen una resistencia de encendido baja líder en la industria en dispositivos de potencia de factor de forma más pequeño.
*Características principales del nuevo MOSFET de potencia de baja resistencia*
*La resistencia ON más baja de la industria*
El nuevo producto “μPA2766T1A” logra la resistencia de encendido más baja de la industria de 0,72 mΩ (valor típico) en una aplicación de 30 V en un paquete compacto de 5 mm x 6 mm, lo que reduce la resistencia de encendido a aproximadamente la mitad que los productos Renesas convencionales. Reduce la pérdida de conducción del ORing FET de la unidad de fuente de alimentación de los servidores de red y los sistemas de almacenamiento, que son aplicaciones importantes que contribuyen a la sociedad inteligente, y contribuye a la mejora de la eficiencia energética de todo el sistema. Además, la gran caída de voltaje se puede suprimir a alta corriente. Se puede obtener un voltaje de fuente de alimentación de alta precisión incluso para unidades de fuente de alimentación con grandes fluctuaciones de corriente.
*Paquete HVSON de 8 pines con área de montaje pequeña y control de corriente grande*
El paquete HVSON de 8 pines tiene una baja resistencia debido al uso de placas de metal para conectar la matriz FET dentro del paquete a los pines. Combinado con la baja resistencia de encendido del troquel FET, es posible controlar una gran corriente nominal de 130 A (ID (CC)) en un paquete compacto de 5 mm x 6 mm. Además, cuando se conectan múltiples FET ORing en paralelo a cada unidad de fuente de alimentación para suministrar una gran corriente, la cantidad de conexiones en paralelo puede reducirse al mínimo, lo que ayuda a reducir el tamaño del equipo.
Los tres nuevos MOSFET, incluido el μPA2766T1A, tienen clasificaciones de resistencia de 0,72 mΩ a 1,05 mΩ (típico). Esta gama permite una mejor selección de productos para satisfacer mejor los requisitos del usuario en términos de funcionamiento actual o condiciones ambientales. Además, podemos proporcionar productos óptimos a nuestros clientes, contribuyendo a mejorar la eficiencia energética y el ahorro de espacio.
Renesas Electronics continuará mejorando su línea de productos, reduciendo la resistencia y haciendo paquetes aún más pequeños para satisfacer las necesidades cambiantes de los clientes.