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    MOSFET de 80V para diseño de potencia

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    MOSFET de 80V para diseño de potencia
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    Alpha and Omega Semiconductor Limited, diseñador, desarrollador y proveedor mundial de una amplia gama de semiconductores de potencia, ha anunciado el lanzamiento de los dispositivos insignia de su nueva cartera de media tensión AlphaMOS (aMOS™) de 75 V y 80 V, el AON6270 y el AON6280. Este nuevo producto amplía la cartera de MOSFET de media tensión de AOS y mejora sus soluciones para fuentes de alimentación de alto rendimiento.

    Alpha and Omega Semiconductor Limited, diseñador, desarrollador y proveedor mundial de una amplia gama de semiconductores de potencia, ha anunciado el lanzamiento de los dispositivos insignia de su nueva cartera de media tensión AlphaMOS (aMOS™) de 75 V y 80 V, el AON6270 y el AON6280. Este nuevo producto amplía la cartera de MOSFET de media tensión de AOS y mejora sus soluciones para fuentes de alimentación de alto rendimiento. Los AON6270 y AON6280 son ideales para una amplia gama de aplicaciones que superan los límites de eficiencia, incluida la rectificación síncrona del lado secundario en convertidores CC/CC y CA/CC, conmutación del lado primario en convertidores CC/CC industriales y de telecomunicaciones, y módulos POL. Sistemas de comunicación, accionamientos de motor, UPS, herramientas de automatización industrial, etc.

    Las fotos que acompañan a este comunicado se pueden ver en http://www.globenewswire.com/n…

    Los diseñadores de fuentes de alimentación pueden mejorar aún más la eficiencia mediante la reducción de las pérdidas de conducción y conmutación habilitadas por AON6270 y AON6280. Estos nuevos dispositivos ofrecen la cifra de mérito más alta en términos de RDS(ON)*COSS, superando al principal competidor actual en un 34 % y un 29 %, respectivamente. La combinación de baja capacitancia de salida y bajo Qg reduce las pérdidas de conmutación MOSFET. Estos dispositivos vienen en un paquete verde DFN5x6 de tamaño compacto y son 100% Rg y UIS probados.

    “Los diseños de fuentes de alimentación de alta eficiencia requieren un sólido rendimiento de MOSFET tanto en los modos de conmutación como de conducción”, dijo Stephen Chang, gerente senior de marketing de productos de AOS. “El AON6270 y el AON6280 no solo ofrecen un RDS(ON) muy bajo, sino que también brindan un COSS óptimo para ayudar a los diseñadores a cumplir con las normas y regulaciones de eficiencia energética”.

    Aspectos técnicos destacados de AON6270

    • MOSFET de canal N de 75 V en paquete DFN5x6
    • RDS (ENCENDIDO) < 3,9 miliohmios a VGS = 10 V
    • COSS = 615pF (típico)
    • Qg (10 V) = 60 nC tipo
    • RDS mínimo (ON)
    • COSS figura de mérito en el mercado

    Aspectos técnicos destacados de AON6280

    • MOSFET de canal N de 80 V en paquete DFN5x6
    • RDS (ENCENDIDO) < 4,1 miliohmios a VGS = 10 V
    • COSS = 592pF (típico)
    • Qg (10 V) = 58 nC tipo
    • RDS mínimo (ON)
    • COSS figura de mérito en el mercado
    • RDS mínimo (ON)
    • QG figura de mérito en el mercado

    precio y disponibilidad

    Tanto el AON6270 como el AON6280 están disponibles de inmediato en producción con plazos de entrega de 12 a 14 semanas. El precio unitario por 10.000 de cada dispositivo es de $1.184.

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