El MOSFET cuádruple de 60 V FDMQ86530L de Fairchild Semiconductor ofrece a los diseñadores un paquete todo en uno que resuelve desafíos de diseño clave. La solución FDMQ86530L, que consta de cuatro MOSFET de canal N de 60 V y utiliza la tecnología GreenBridge™ de Fairchild, mejora las pérdidas de conducción y la eficiencia en comparación con los puentes de diodos tradicionales y mejora la disipación de energía en un factor de 10.El calor excesivo en aplicaciones de puente activo compacto de alta resolución, como cámaras de red, puede causar problemas de calidad de imagen. De manera similar, el ruido inducido por el calor puede afectar el sensor de imagen del sistema y degradar la calidad de imagen de la cámara. Las soluciones comunes de disipadores de calor para adaptarse a las variaciones térmicas pueden aumentar la complejidad de estos diseños complejos al aumentar el número de componentes y abarrotar el espacio de la placa. El MOSFET cuádruple de 60 V FDMQ86530L de Fairchild Semiconductor ofrece a los diseñadores un paquete todo en uno que resuelve estos importantes desafíos de diseño.
La solución FDMQ86530L, que consta de cuatro MOSFET de canal N de 60 V y utiliza la tecnología GreenBridge™ de Fairchild, mejora las pérdidas de conducción y la eficiencia en comparación con los puentes de diodos tradicionales y mejora la disipación de energía en un factor de 10. El dispositivo viene en un paquete de 12 conductores MLP de 4,5 x 5,0 mm térmicamente mejorado que ahorra espacio y cuenta con un diseño compacto que elimina la necesidad de disipadores de calor y mejora la eficiencia de conversión de energía en aplicaciones de 12 y 24 V CA.
El producto FDMQ86530L, que forma parte de la cartera completa de MOSFET discretos de Fairchild, ofrece la tecnología de empaquetado más innovadora para minimizar el tamaño y maximizar el rendimiento térmico y la eficiencia en los sistemas de vanguardia actuales.
*especificación*
* RDS máximo (ENCENDIDO) = 17,5 mΩ a VGS = 10 V, ID = 8 A
* Máximo RDS(ON) = 23 mΩ a VGS = 6V, ID = 7A
* RDS máximo (ENCENDIDO) = 25 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 6,5 A