Vishay Intertechnology, Inc. presenta los nuevos MOSFET a escala de chip TrenchFET® de 20 V que ofrecen un consumo de energía reducido y una duración prolongada de la batería para dispositivos ultraportátiles. Este producto ofrece la resistencia de encendido más baja de la industria para un dispositivo de 20 V en un espacio compacto de 1 mm cuadrado.Vishay Intertechnology, Inc. presenta los nuevos MOSFET a escala de chip TrenchFET® de 20 V que ofrecen un consumo de energía reducido y una duración prolongada de la batería para dispositivos ultraportátiles. Este producto ofrece la resistencia de encendido más baja de la industria para un dispositivo de 20 V en un espacio compacto de 1 mm cuadrado.
El Si8410DB está optimizado para su uso como interruptor de carga, interruptor de señal pequeña e interruptor de alta velocidad en aplicaciones de administración de energía con 37 mΩ a 4,5 V, 41 mΩ a 2,5 V y 47 mΩ a 1,8 V en un paquete cuadrado CSP de 1 mm. Estas clasificaciones mejoran un 26 % a 4,5 V, un 32 % a 2,5 V, un 35 % a 1,8 V y un 27 % a 1,5 V en comparación con el competidor más cercano. V. La resistencia de encendido es un 32 % inferior a 4,5 V, un 40 % inferior a 2,5 V, un 48 % inferior a 1,8 V y un 43 % inferior a 1,5 V que los dispositivos del paquete cuadrado DFN de 1 mm. Este dispositivo está bajo. – La resistencia, un mínimo de 1,5 V y una clasificación VGS de ±8 V proporcionan una combinación de margen de seguridad, flexibilidad de diseño de accionamiento de compuerta y alto rendimiento para aplicaciones alimentadas por baterías de iones de litio.
El Si8410DB ofrece una muy baja resistencia de encendido de 30 mΩ-mm cuadrado por área. Esto es un 28 % más bajo que su competidor más cercano, un MOSFET de 20 V en un paquete de plástico cuadrado de 1 mm, lo que ahorra espacio y reduce el consumo de energía de la batería en aplicaciones móviles. La baja resistencia de encendido de este dispositivo significa que tiene una caída de voltaje muy baja en CC y picos de corriente de pulso, y se desperdicia menos energía en forma de calor. La combinación de una resistencia de encendido más baja y una resistencia térmica más baja da como resultado un aumento de temperatura de hasta un 45 % y un 144 % más bajo en comparación con los siguientes mejores dispositivos en paquetes CSP y de 1 mm cuadrado, respectivamente.
*característica*
* MOSFET de potencia TrenchFET®
*Extremadamente pequeño con un tamaño externo máximo de 1 mm x 1 mm
* Ultrafino con una altura máxima de 0,54 mm