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    Electrónica

    Módulo amplificador de potencia RF de 5 GHz

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    Módulo amplificador de potencia RF de 5 GHz
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    Microchip Technology ha presentado el SST11CP22, un módulo amplificador de potencia (PAM) de 5 GHz para el estándar Wi-Fi® de ultra alta velocidad de datos IEEE 802.11ac. Este PAM utiliza la modulación de ancho de banda MCS9 de 80 MHz para proporcionar una potencia de salida lineal de 19 dBm con un 1,8 % de EVM dinámico (magnitud del vector de error). Además, el SST11CP22 ofrece una potencia lineal de 20 dBm al 3 % de EVM para aplicaciones 802.11a/n, cumple con una máscara espectral de hasta 24 dBm para comunicaciones 802.11a y la salida armónica de RF a esta potencia de salida es: menos de 45 dBm/ Megahercio. Ayuda a la placa del sistema a cumplir con las normas de la FCC.

    Para los diseñadores de puntos de acceso Wi-Fi MIMO, enrutadores y sistemas de decodificadores, es esencial lograr velocidades de datos máximas y alcance máximo mientras se consume la menor cantidad de corriente. El bajo EVM y la alta potencia lineal del SST11CP22 facilitan la operación MIMO y amplían significativamente el rango de los sistemas 802.11ac en modos de transmisión de velocidad de datos ultra alta. Alojado en un paquete QFN de 20 pines y 4×4 mm que ahorra espacio, el módulo cuenta con un filtro de rechazo de armónicos de salida, tiene una coincidencia de 50 ohmios y solo requiere cuatro componentes externos. Fácil de usar y reduce el tamaño de la placa. Además, un detector de potencia lineal integrado proporciona un control preciso de la potencia de salida sobre la temperatura y un desajuste de salida de 2:1. Estas características son importantes para los decodificadores Wi-Fi 802.11ac, enrutadores, puntos de acceso y dispositivos inalámbricos de transmisión de video que funcionan a altas velocidades de datos.

    “Los amplificadores de potencia de RF de Microchip ocupan una posición sólida en el mercado de WLAN debido a su combinación de alta eficiencia energética y confiabilidad que solo se puede lograr con los HBT de InGaP/GaAs”, dijo el vicepresidente de la división de radiofrecuencia de Microchip, Daniel Zhou. “El lanzamiento de SST11CP22 ofrece una operación confiable similar con EVM muy bajo, facilidad de uso y bajas emisiones de armónicos. Escala y reduce los costos de fabricación”.

    característica

    • PAM de alta potencia de 5 GHz compatible con RF de 50 ohmios con filtro armónico compatible con FCC
    • Ganancia: 31 dB (típico)
    • Alta potencia de salida lineal de más de 5,1-5,9 GHz a 5 V:
      • Cumple con la máscara de espectro OFDM 802.11a, normalmente hasta 24 dBm
      • Máscara de espectro OFDM 802.11n HT40 que normalmente cumple con hasta 23 dBm
      • 3% EVM hasta 20 dBm, típico para señales 802.11a, 54 Mbps
      • 2,5% EVM hasta 19 dBm, típico para señales 802.11n, 65 Mbps
      • 1,8 % EVM hasta 18 dBm, típico para señales 802.11ac, MCS9, 80 MHz BW (ancho de banda)

    solicitud

    • LAN inalámbrica (IEEE 802.11a/n/ac)
    • HiperLAN2
    • multimedia

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