Este transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N está fabricado con tecnología MOSFET de trinchera de alta densidad celular. Este producto ofrece un rendimiento de conmutación rápido robusto y confiable mientras minimiza la resistencia en el estado. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, como controles de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia, traductores de nivel lógico, controladores de línea de alta velocidad, administración/suministro de energía y aplicaciones de conmutación.El 2N7002L es el FET de modo de mejora de canal N de Fairchild con un voltaje de ruptura típico de tren a fuente de 65,2 V. El voltaje de umbral de puerta del dispositivo está en el rango de 0.80 a 2.50V. También cuenta con encendido y encendido rápido. El tiempo de inactividad es de 20 ns.
Este transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N está fabricado con tecnología MOSFET de trinchera de alta densidad celular. Este producto ofrece un rendimiento de conmutación rápido robusto y confiable mientras minimiza la resistencia en el estado. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, como controles de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia, traductores de nivel lógico, controladores de línea de alta velocidad, administración/suministro de energía y aplicaciones de conmutación.
*característica*
* Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
* Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
* Robusto y confiable
* Capacidad de corriente de alta saturación
* Muy baja capacitancia
* Velocidad de conmutación rápida