Toshiba Corporation anunció que ha desarrollado un modelo de simulación MOS-Varactor1 compacto que logra una alta precisión desde CC hasta regiones de ondas milimétricas (60 GHz). El nuevo modelo fue desarrollado conjuntamente con el profesor Nobuyuki Ito de la Universidad de la Prefectura de Okayama.
Toshiba Corporation anunció que ha desarrollado un modelo de simulación MOS-Varactor1 compacto que logra una alta precisión desde CC hasta regiones de ondas milimétricas (60 GHz). El nuevo modelo fue desarrollado conjuntamente con el profesor Nobuyuki Ito de la Universidad de la Prefectura de Okayama.
Un nuevo modelo compacto de MOS-Varctor presenta un algoritmo único para representar los efectos de escala y puede capturar la influencia de los efectos parásitos que son dominantes en la región de 60 GHz. Para el modelado se utilizaron parámetros medidos de 1 MHz a 60 GHz de muestras con diferentes tamaños de celda. En general, es difícil expresar MOS-Varactor con un solo modelo, pero el modelo desarrollado esta vez lo expresa de manera brillante.
El nuevo modelo admite la reducción del consumo de energía de los productos RF-CMOS al capturar con precisión los efectos parásitos, y se utiliza como tecnología básica para el desarrollo de chips RF-CMOS, que son dispositivos clave en la división IC de imágenes analógicas de Toshiba. . Con base en investigaciones anteriores, Toshiba espera garantizar una simulación precisa de los circuitos de ondas milimétricas CMOS en el futuro.
El nuevo modelo se valida en muestras con longitudes de celda que oscilan entre 0,26 µm y 2,0 µm, fabricadas con la tecnología RF-CMOS de 65 nm de Toshiba. Se logró una precisión excelente para todos los tamaños de celda, desde CC hasta 67 GHz.
La validación de este modelo se realizó en una línea de 60GHz. Usando este modelo en el bloque de sintonización de frecuencia, medimos la dependencia del nivel de ruido de fase en el voltaje de control de un VCO de 60 GHz y lo comparamos con la simulación del circuito. Descubrimos que la precisión de la medición mejoró en 8 dB en comparación con el modelo 2 convencional.
Estos resultados de desarrollo se presentaron en la Conferencia de Microondas de Asia-Pacífico APMC celebrada en Taiwán del 4 al 7 de diciembre.
1. MOS (Metal Oxide Semiconductor) – Los varactores son dispositivos planos fabricados tradicionalmente en tecnología CMOS. Se usa comúnmente en bloques de ajuste de frecuencia en circuitos CMOS VCO (oscilador controlado por voltaje).
2. BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model) es un modelo tradicional comúnmente utilizado para simular MOS-Varactors. Desarrollado por la Universidad de California, Berkeley.