Diodes, Inc. anuncia la expansión de su línea de productos discretos ultraminiatura para diseños de productos críticos para el espacio. La compañía presentó tres MOSFET de pequeña señal en un pequeño paquete DFN0606: transistores de canal N con clasificación de 20 V y 30 V y una parte de canal P con clasificación de 30 V. Cada dispositivo tiene un tamaño de solo 0,6 mm x 0,6 mm, lo que ocupa un 40 % menos de espacio en la placa que los MOSFET en el paquete DFN1006 (también conocido como SOT883) de uso común, ideal para la próxima generación de tecnología portátil, tabletas y teléfonos inteligentes que se ha convertido en una opción viable.Diodes, Inc. (Nasdaq: DIOD), fabricante y proveedor líder a nivel mundial de productos estándar específicos de aplicaciones de alta calidad para los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos y analógicos, anunció hoy la línea ampliada de productos discretos ultrapequeños. . La compañía presentó tres MOSFET de pequeña señal en un pequeño paquete DFN0606: transistores de canal N con clasificación de 20 V y 30 V y una parte de canal P con clasificación de 30 V. Cada dispositivo tiene un tamaño de solo 0,6 mm x 0,6 mm, lo que ocupa un 40 % menos de espacio en la placa que los MOSFET en el paquete DFN1006 (también conocido como SOT883) de uso común, ideal para la próxima generación de tecnología portátil, tabletas y teléfonos inteligentes que se ha convertido en una opción viable.
El DMN2990UFZ (nMOS de 20 V), el DMN31D5UFZ (nMOS de 30 V) y el DMP32D9UFZ (pMOS de 30 V) pueden proporcionar un rendimiento eléctrico mejor o igual que muchas piezas grandes del paquete, al mismo tiempo que mantienen un excelente rendimiento de conmutación. actuación. Además, un voltaje de umbral típico de menos de 1 V significa un “encendido” bajo y adecuado para el funcionamiento de una sola celda.
Estos pequeños MOSFET son ideales para tareas de administración de energía de alta eficiencia y como interfaces de propósito general e interruptores analógicos simples. La densidad de potencia del circuito también se mejora, con la parte DFN0606 logrando una disipación de potencia de 300 mW.