Mouser Electronics ha anunciado el lanzamiento de la memoria no volátil Parallel FRAM de Cypress, que presenta un proceso ferroeléctrico avanzado y altamente confiable que supera a los módulos SRAM respaldados por batería. El producto también ofrece confiabilidad monolítica y bajo consumo de energía con hasta 151 años de retención de datos.Mouser Electronics ha anunciado el lanzamiento de la memoria no volátil Parallel FRAM de Cypress, que presenta un proceso ferroeléctrico avanzado y altamente confiable que supera a los módulos SRAM respaldados por batería. El producto también ofrece confiabilidad monolítica y bajo consumo de energía con hasta 151 años de retención de datos.
Disponible a través de Mouser Electronics, la memoria no volátil Cypress Parallel F-RAM ofrece la ventaja de retener datos incluso cuando se desconecta la alimentación y se puede utilizar como reemplazo directo para SRAM estándar. F-RAM se considera una de las soluciones de memoria no volátil más rápidas y con mayor eficiencia energética de la industria. Todas las celdas F‑RAM son inherentemente de bajo consumo y funcionan sin bombas de carga. Las celdas de memoria Cypress F-RAM ofrecen una resistencia extremadamente alta de 100 billones de ciclos de lectura/escritura mientras mantienen un bajo consumo de energía. Cypress F-RAM es inmune a la corrupción de datos por rayos gamma y tiene alta inmunidad a la interferencia electromagnética (EMI). El tiempo de escritura rápido combinado con la alta resistencia de escritura y las escrituras NoDelay™ hacen que la F‑RAM de Cypress sea superior en el panorama de la memoria no volátil.
Todos los productos F-RAM de la familia Cypress cumplen totalmente con RoHS y funcionan a temperaturas industriales nominales de -40 °C a +85 °C. Los tamaños de memoria disponibles varían de 64 kbits a 4 Mbits y los voltajes de la fuente de alimentación varían de 3,3 V a 5 V. Cypress F‑RAM es una solución ideal para aplicaciones de memoria no volátil de bajo consumo, incluidas las que se encuentran en los mercados automotriz, industrial, informático, de redes, medidores inteligentes e impresoras multifunción.
*característica*
* 100 billones (10^14) de alta resistencia de lectura/escritura
* Retención de datos de 151 años
* Escritura NoDelay™
* Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
* Mejor que los módulos SRAM respaldados por batería
* Nunca te preocupes por las baterías
* Confiabilidad monolítica
* Solución de montaje en superficie real, sin pasos de red
*Excelente resistencia a la humedad, golpes y vibraciones.
* Bajo consumo de energía
*Cumple con las Restricciones en el Uso de Sustancias Peligrosas (RoHS)