MB85R4002A es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) compuesto por celdas de memoria no volátil de 262 144 palabras × 16 bits fabricadas con tecnología de proceso CMOS de puerta de silicio y proceso ferroeléctrico.MB85R4002A es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) compuesto por celdas de memoria no volátil de 262 144 palabras × 16 bits fabricadas con tecnología de proceso CMOS de puerta de silicio y proceso ferroeléctrico. MB85R4002A puede retener datos sin la batería de respaldo requerida para SRAM. Las celdas de memoria utilizadas en MB85R4002A se pueden utilizar para operaciones de lectura/escritura 1010. Esta es una mejora significativa sobre la cantidad de operaciones de lectura/escritura admitidas por la memoria Flash y E2PROM. MB85R4002A emplea una interfaz pseudo-SRAM compatible con SRAM asíncrona convencional.
*característica*
*Configuración de bits: 262.144 palabras x 16 bits
* Control de bytes de datos LB y UB
* Resistencia de lectura/escritura: 1010 veces/byte
* Retención de datos: 10 años (+ 55 °C), 55 años (+ 35 °C)
*Voltaje de la fuente de alimentación operativa: 3,0 V a 3,6 V
* Operación de baja potencia: corriente de suministro operativo 15 mA (Typ), corriente en espera 50 μA (Typ)
*Rango de temperatura ambiente de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
* Paquete: TSOP de plástico de 48 pines (FPT-48P-M48), compatible con RoHS