Vishay Intertechnology ha ampliado su oferta de MOSFET de potencia Gen III de canal p TrenchFET® con nuevos dispositivos en los paquetes PowerPAK® ChipFET® y PowerPAK 1212-8S. Los MOSFET Siliconix de Vishay lanzados hoy están diseñados para mejorar la eficiencia energética en la informática móvil y los dispositivos de control industrial con -4,5 V con accionamiento de compuerta de 3,0 mm y -12 V con accionamiento de compuerta de -2,5 V y la resistencia de encendido más baja de la industria para dispositivos de -20 V. Áreas de huella de 1,9 mm y 3,3 mm x 3,3 mm.Vishay Intertechnology ha ampliado su oferta de MOSFET de potencia Gen III de canal p TrenchFET® con nuevos dispositivos en los paquetes PowerPAK® ChipFET® y PowerPAK 1212-8S. Los MOSFET Siliconix de Vishay lanzados hoy están diseñados para mejorar la eficiencia energética en la informática móvil y los dispositivos de control industrial con -4,5 V con accionamiento de compuerta de 3,0 mm y -12 V con accionamiento de compuerta de -2,5 V y la resistencia de encendido más baja de la industria para dispositivos de -20 V. Áreas de huella de 1,9 mm y 3,3 mm x 3,3 mm.
*Si5411EDU, Si5415AEDU* y *SiSS23DN* están optimizados para cargas, baterías e interruptores de supervisión en una amplia gama de aplicaciones, incluidos teléfonos inteligentes, tabletas, computadoras portátiles, sensores industriales y administración de energía de módulos POL. La resistencia de encendido más baja de la industria de este dispositivo permite a los diseñadores reducir las caídas de voltaje en los circuitos, promoviendo un uso más eficiente de la energía y una mayor duración de la batería.
Para aplicaciones en las que el ahorro de espacio en la PCB es fundamental, el -12 V *Si5411EDU* ofrece una baja resistencia de 8,2 mΩ (-4,5 V) y 11,7 mΩ (-2,5 V) en un paquete PowerPAK ChipFET de 3,0 mm x 1,9 mm. Si se requieren clasificaciones de voltaje más altas, el -20 V *Si5415AEDU* tiene valores de 9,6 mΩ (-4,5 V) y 13,2 mΩ (-2,5 V). Ambos dispositivos ofrecen protección ESD de 5000 V como estándar. Para aplicaciones que requieren una resistencia de encendido muy baja, *SiSS23DN* ofrece valores de 4,5 mΩ (-4,5 V) y 6,3 mΩ (-2,5 V) en un PowerPAK 1212 de 3,3 mm x 3,3 mm. -Paquete 8S de 0,75 mm de grosor.
*Si5411EDU, Si5415AEDU* y *SiSS23DN* son 100% Rg y UIS probados. Los MOSFET no contienen halógenos según la definición JEDEC JS709A y cumplen con la directiva RoHS 2011/65/EU.
*Especificaciones del dispositivo*
*Si5411EDU*
* Vds(V): -12
* Vgs(V): ±8*
* RDS (ENCENDIDO) (mΩ)
– 4,5 V: 8,2
– 3,7V: 9,4
– 2,5V: 11,7
– 1,8V: 20,6
* Paquete: PowerPAK ChipFET
*Si5415AEDU*
* Vds(V): -20
* Vgs(V): ±8*
* RDS (ENCENDIDO) (mΩ) @
– 4,5V: 9,6
– 3,7 V: –
– 2,5V: 13,2
– 1,8 V: 22,0
* Paquete: PowerPAK ChipFET
*SiSS23DN*
* Vds(V): -20
* Vgs(V): ±8*
* RDS (ENCENDIDO) (mΩ) @
– 4,5 V: 4,5
– 3,7 V: –
– 2,5V: 6,3
– 1,8V: 11,5
* Paquete: PowerPAK 1212-8s