Los arreglos MOSFET EPAD de canal N de precisión ALD210800/ALD210800A de Advanced Linear Devices están calibrados de fábrica utilizando la tecnología EPAD CMOS comprobada de ALD. Estos dispositivos monolíticos cuádruples son adiciones mejoradas a la familia ALD110800A/ALD110800 EPAD MOSFET con mayor transconductancia directa y conductancia de salida, especialmente a voltajes de suministro muy bajos.Los arreglos MOSFET EPAD de canal N de precisión ALD210800/ALD210800A de Advanced Linear Devices están calibrados de fábrica utilizando la tecnología EPAD CMOS comprobada de ALD. Estos dispositivos monolíticos cuádruples son adiciones mejoradas a la familia ALD110800A/ALD110800 EPAD MOSFET con mayor transconductancia directa y conductancia de salida, especialmente a voltajes de suministro muy bajos.
Para aplicaciones de señal pequeña, baja potencia y bajo voltaje, el ALD210800/ALD210800A tiene un voltaje de umbral cero, lo que permite diseños de circuitos con señales de entrada y salida referenciadas a GND con un rango de voltaje operativo mejorado. Estos dispositivos permiten que se construyan circuitos con múltiples etapas en cascada para operar a niveles muy bajos de tensión de alimentación/polarización.
*característica*
* Umbral cero VGS (th) = 0,00 V +/-0,01 V
* VOS (coincidencia VGS(th)) máx. 2mV / 10mV.
* Operación de voltaje por debajo del umbral (nanopotencia)
* Rango de corriente de funcionamiento de 100 000 000:1
* Alta transconductancia y conductancia de salida
* RDS bajo (encendido) de 25Ω
* Corriente de salida > 50mA
* Coeficiente de temperatura emparejado y rastreado
* Estricto control paramétrico lote a lote
* Coeficientes de temperatura VGS(th) positivos, cero y negativos
* Baja capacitancia de entrada y corriente de fuga