Los diseñadores de fuentes de alimentación conmutadas necesitan MOSFET de alto voltaje que puedan soportar picos de corriente de recuperación inversa y reducir las pérdidas de conmutación.
Los diseñadores de fuentes de alimentación conmutadas necesitan MOSFET de alto voltaje que puedan soportar picos de corriente de recuperación inversa y reducir las pérdidas de conmutación. Con un profundo conocimiento de la tecnología MOSFET, Fairchild Semiconductor (NYSE:FCS) ha desarrollado un MOSFET de potencia optimizado, el MOSFET UniFET™ II. Cuenta con un cuerpo de diodo mejorado, menores pérdidas de conmutación y la capacidad de soportar el doble de la tensión actual que en el modo de recuperación de diodo dv/dt.
Los MOSFET UniFET II de Fairchild proporcionan un rendimiento de recuperación inversa un 50 % mejor que las soluciones alternativas. La recuperación inversa lenta no puede manejar picos de corriente de recuperación inversa altos, lo que puede provocar mayores pérdidas de conmutación y calentamiento del MOSFET de potencia. La solución de Fairchild puede manejar más del doble de las tensiones actuales de las soluciones existentes.
Estos MOSFET UniFET II se basan en la tecnología plana avanzada de Fairchild que ofrece una mejor cifra de mérito (FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg). Estos MOSFET tienen baja capacitancia de entrada y salida y la mejor recuperación inversa de su clase, lo que resulta en una alta eficiencia. Empaquetar una gran cantidad de energía en un paquete pequeño sin generar un calor excesivo también mejora la eficiencia general en aplicaciones como SMPS para televisores LCD y PDP, SMPS para sistemas de iluminación, fuentes de alimentación para PC, fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones.
Los productos iniciales ofrecidos en la serie MOSFET UniFET II incluyen los MOSFET de canal N FDPF5N50NZ y FDPF8N50NZ. El FDPF5N50NZ es un dispositivo de 500 V, 4,5 A, 1,5 Ω que presenta un RDS (encendido) de 1,38 Ω (típico) @ VGS = 10 V, ID = 2,25 A. Carga de compuerta baja (9nC típico). El FDPF8N50NZ es un dispositivo de 500 V, 8 A, 0,85 Ω que presenta un RDS (encendido) de 0,77 Ω (típico) a VGS = 10 V, ID = 4 A y una carga de compuerta baja de 14 nC (típico).
Estos dispositivos son uno de los pocos en la industria con una sólida capacidad ESD de 2kV HBM. Esta fuerte capacidad ESD ayuda a proteger su aplicación de eventos electrostáticos dañinos.
Como líder en tecnología de energía, Fairchild continúa ofreciendo una combinación única de características, procesos y tecnologías de empaque para enfrentar los desafíos del diseño electrónico. Estos MOSFET son parte de la cartera integral de MOSFET de Fairchild, que ofrece a los diseñadores una amplia gama de voltajes de ruptura (-500 V a 1000 V), empaques de vanguardia, FOM líderes en la industria y administración de energía eficiente donde se requiere conversión de energía electrónica.