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    Electrónica

    Los MOSFET de potencia reducen las emisiones de energía

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    STMicroelectronics, líder mundial en semiconductores que atiende a una amplia gama de clientes en aplicaciones electrónicas, fabrica superuniones avanzadas que se utilizan en productos de consumo eficientes en energía, sistemas informáticos y de comunicación, controladores de iluminación y dispositivos de energía solar.Presentó una variante especial de acción rápida del MOSFET de potencia.STMicroelectronics, líder mundial en semiconductores que atiende a una amplia gama de clientes en aplicaciones electrónicas, fabrica superuniones avanzadas que se utilizan en productos de consumo eficientes en energía, sistemas informáticos y de comunicación, controladores de iluminación y dispositivos de energía solar.Presentó una variante especial de acción rápida del MOSFET de potencia.

    Los dispositivos modernos están aumentando la eficiencia de los tipos de fuentes de alimentación comúnmente utilizadas en equipos como televisores de tamaño mediano en el rango de potencia de 200-500W.Cuando se instala en televisores LCD, que se producen en 200 millones de unidades al año[1]Con carga de puerta reducida, los nuevos transistores de potencia MDmesh II Plus™ Low Qg (carga de puerta baja) pueden reducir las emisiones de gases de efecto invernadero en más de 140 000 toneladas por año. Esto equivale a unos 30.000 turismos saliendo de la carretera.[2].

    Perfeccionada por solo unos pocos fabricantes, la tecnología de superunión permite que los transistores de potencia combinen tamaño pequeño, capacidad de alto voltaje y excelente eficiencia energética puntual. ST es el líder mundial en este tipo de tecnología con sus MOSFET de potencia MDmesh y ofrece un rendimiento aún mejor con su última familia MDmesh II Plus™ Low Qg. Estos dispositivos cuentan con una carga interna reducida para una mayor eficiencia durante la conmutación y la conducción, lo que ahorra aún más energía en las fuentes de alimentación resonantes que se usan comúnmente en los televisores LCD.

    El diseño mejorado de los nuevos dispositivos da como resultado una carga de compuerta más baja (Qg) y una capacitancia de entrada/salida más baja. Cada uno de estos factores contribuye a una conmutación más rápida y eficiente, lo que anima a los diseñadores a utilizar transistores de superunión en las fuentes de alimentación resonantes que se encuentran comúnmente en los televisores LCD. Hasta la fecha, los transistores de superunión se han utilizado con mayor eficacia en topologías de conmutación dura, donde el dispositivo conmuta incluso con corrientes y voltajes elevados. En una fuente de alimentación resonante, dos inductores y un condensador (convertidor LLC) permiten que el transistor cambie a voltaje cero, suavizando el flujo de energía en el sistema y aumentando la eficiencia. La nueva familia MDmesh II PlusTM Low Qg también resiste los efectos de cambios grandes y repentinos en el voltaje aplicado (alta durabilidad dv/dt) que pueden dañar los transistores y provocar una conmutación espuria. Esto permite que los dispositivos modernos funcionen de manera confiable incluso cuando están expuestos a grandes transitorios de voltaje, como ruido y armónicos en las líneas de alimentación de CA.

    El primer dispositivo MDmesh II PlusTM Low Qg que entró en producción es el STP24N60M2 en un paquete TO-220. El precio es de $2.50 para volúmenes en el rango de 1,000. Para necesidades a granel, comuníquese con su oficina de ventas de ST. ST planea expandir la familia para incluir más de 50 dispositivos en varios paquetes como TO-220FP, I2PAK, I2PAK FP, D2PAK, TO-247 y PowerFLAT 8×8.

    *Características principales de STP24N60M2:*

    Resistencia (RDS(ON)): 190mΩ
    Voltaje de resistencia: 600V
    Corriente de drenaje continua máxima (ID): 18A
    durabilidad dv/dt: 50V/ns
    100 % probado contra avalanchas

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