Baolab Microsystems ha anunciado la disponibilidad de kits de evaluación para su recientemente anunciado 3D NanoCompass™ a finales de febrero de 2012. Esta tecnología electrónica CMOS MEMS NanoCompass de 3 ejes utiliza la tecnología patentada y galardonada NanoEMS™ de Baolab para crear MEMS (sistemas micro electromecánicos) a nanoescala dentro de estructuras metálicas estándar en obleas CMOS producidas en masa.
Baolab Microsystems ha anunciado la disponibilidad de kits de evaluación para su recientemente anunciado 3D NanoCompass™ a finales de febrero de 2012. Esta tecnología electrónica CMOS MEMS NanoCompass de 3 ejes utiliza la tecnología patentada y galardonada NanoEMS™ de Baolab para crear MEMS (sistemas micro electromecánicos) a nanoescala dentro de estructuras metálicas estándar en obleas CMOS producidas en masa.
“Actualmente estamos produciendo sensores NanoEMS en masa en líneas de producción CMOS estándar”, dijo Dave Doyle, director ejecutivo de Baolab. “Pasar del laboratorio a la fábrica es un hito importante para nuestra empresa, ya que demuestra que nuestra tecnología innovadora es confiable, escalable y reproducible. Fue un paso clave largamente esperado: NanoEMS hace que sea mucho más fácil y rentable integrar sensores y microcontroladores MEMS. y la electrónica asociada, todo en el mismo chip en la misma línea de producción CMOS. Este es un gran avance que permite que la electrónica de consumo producida en masa esté equipada con sensores inteligentes, satisfaciendo la creciente demanda de dispositivos más inteligentes y conscientes”.
La tecnología NanoEMS no solo ofrece ahorros significativos en los costos de los sensores MEMS de movimiento, Baolab también explora el potencial de las estructuras NanoEMS para integrarse fácilmente en los ASIC para aplicaciones como antenas de RF, conmutadores de RF, comunicación de campo cercano y automoción. Las áreas que Baolab y sus clientes pueden estar investigando incluyen:
antena de vibración
Superan las limitaciones de las antenas clásicas (estáticas), como las antenas/lentes compactas superdireccionales/de superresolución que requieren desfasadores de precisión y ganancias que actualmente no son prácticas. Las antenas vibrantes lo hacen posible junto con la multiplexación espacial para comunicaciones móviles e Internet.
Conmutadores y antenas RF termomagnéticas
Aprovechando el bajo valor de temperatura de Curie del níquel, es posible construir interruptores de RF, filtros y antenas reconfigurables. Esto ha generado una nueva categoría de componentes RF MEMS reconfigurables que ofrecen alta confiabilidad sin partes móviles, atractivas especificaciones de RF, bajo consumo de energía con procesamiento CMOS y bajo costo.
interruptor modal
Esta nueva topología permite especificaciones atractivas para conmutadores de RF con bajas relaciones de capacitancia y alto aislamiento utilizando sustratos CMOS de bajo costo y baja resistividad. El principio se basa en el uso de cargas MEMS reconfigurables para equilibrar y desequilibrar las líneas de transmisión para transferir energía desde diferentes modos de transmisión dentro de la línea de transmisión.
Componentes pasivos integrados: inductores, transformadores, condensadores
Con la forma helicoidal típica de los inductores fuera del chip, los inductores integrados proporcionan pérdidas más bajas (Q mejorado) y capacitancia parásita más baja (frecuencia resonante mejorada). También es posible crear transformadores con relaciones de espiras arbitrarias.
La capacitancia tangencial se usa en lugar del enfoque tradicional de usar capacitancia secante en aplicaciones de baja frecuencia, especialmente capacitores integrados para energía. Cuando se usan capacitores en reguladores de voltaje, generalmente solo una fracción de la carga almacenada en el capacitor se usa para regular el voltaje. Con este tipo de condensadores se puede utilizar un mayor porcentaje de la carga almacenada para regular la tensión, lo que permite implementar pequeños filtros y reguladores integrados con un excelente rendimiento.
filtro de radiofrecuencia
El pequeño tamaño de característica del proceso CMOS permite la implementación de filtros RF MEMS hasta la banda de GHz necesaria para las comunicaciones celulares, lo que mejora en gran medida el acoplamiento electromecánico. Los filtros mecánicos MEMS RF actuales sufren un acoplamiento electromecánico muy bajo, o baja sensibilidad, y se han utilizado voltajes muy altos para intentar cancelarlos con un éxito limitado.
convertidor de poder
NanoEMS™ MEMS permite la integración de bombas de carga y fuentes de alimentación, haciéndolas más económicas, más compactas y más eficientes.