Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una puerta de trinchera patentada avanzada y una estructura de parada de campo. Esta serie IGBT ofrece el mejor compromiso entre pérdidas por conducción y pérdidas por conmutación.Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una puerta de trinchera patentada avanzada y una estructura de parada de campo. Esta serie IGBT ofrece el mejor compromiso entre conducción y pérdidas de conmutación, maximizando la eficiencia de los convertidores de ultra alta frecuencia. Además, el coeficiente de temperatura V CE(sat) positivo y la distribución de parámetros muy ajustada facilitan el funcionamiento en paralelo.
*característica*
* Cambio rápido
* distribución exacta de parámetros
* Conexión paralela segura
* Baja resistencia térmica
* Clasificación de cortocircuito
* Diodo antiparalelo de recuperación suave ultrarrápido
*solicitud*
* control del motor
* SAI, PFC