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    Electrónica

    IGBT de alta ganancia de 1200 V – EEWeb

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    IGBT de alta ganancia de 1200 V - EEWeb
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    IXYS Corporation anuncia la expansión de su línea de productos XPT IGBT con el lanzamiento de un nuevo producto discreto de alta velocidad y alta ganancia de 1200 V. Los nuevos dispositivos cuentan con clasificaciones de alta corriente (105 A a 160 A, Tc = 25 °C) y están específicamente optimizados para reducir las pérdidas de conmutación en aplicaciones de alto voltaje que requieren frecuencias de conmutación estrictas de hasta 50 kHz. Las capacidades de conmutación rápida de estos nuevos IGBT de 1200 V permiten a los clientes aumentar la eficiencia de conversión de energía de sus diseños y utilizar componentes pasivos más pequeños, livianos y rentables.

    Cerveza de Milpitas, California y Suiza. 4 de agosto de 2011: IXYS Corporation anuncia la expansión de su línea de productos XPT IGBT con el lanzamiento de un nuevo producto discreto de alta velocidad y alta ganancia de 1200 V. Los nuevos dispositivos cuentan con clasificaciones de alta corriente (105 A a 160 A, Tc = 25 °C) y están específicamente optimizados para reducir las pérdidas de conmutación en aplicaciones de alto voltaje que requieren frecuencias de conmutación estrictas de hasta 50 kHz. Las capacidades de conmutación rápida de estos nuevos IGBT de 1200 V permiten a los clientes aumentar la eficiencia de conversión de energía de sus diseños y utilizar componentes pasivos más pequeños, livianos y rentables. El resultado es un menor costo total de propiedad del sistema y un área de diseño de PCB reducida.

    Desarrollados utilizando la plataforma de diseño IXYS XPTTM, estos nuevos dispositivos exhiben un voltaje de saturación de colector-emisor bajo (Vcesat tan bajo como 3.0 V), tiempo de caída de corriente típico (tfi tan bajo como 57 ns), Tiene excelentes propiedades eléctricas como baja de energía. Valor por pulso (Eoff es de aproximadamente 1,2 mJ, Tj = 25 ℃). Además, estos nuevos IGBT mantienen un coeficiente de temperatura de voltaje de saturación de colector a emisor positivo para una fácil configuración en paralelo, lo que permite a los diseñadores usar múltiples dispositivos discretos XPT en paralelo para optimizar sus aplicaciones.Puede lograr los requisitos de alta corriente que necesita. Las características de carga de compuerta baja de estos nuevos dispositivos también ayudan a reducir los requisitos de energía del controlador de compuerta de los dispositivos, lo que permite implementar soluciones de controlador de compuerta más simples y económicas. Otras características incluyen una clasificación de avalancha dinámica y un área de operación segura con polarización inversa rectangular (RBSOA) clasificada hasta el voltaje de bloqueo del dispositivo para una mayor robustez del sistema.

    Un nuevo dispositivo XPT de 1200 V está disponible en el diodo ultrarrápido antiparalelo Sonic-FRDTM de IXYS (Sonic-FRDTM – sufijo H1, es decir, IXYN82N120C3H1). La combinación de XPT IGBT y Sonic-FRDTM de IXYS proporciona una combinación óptima para reducir las pérdidas por desconexión. Además, las características de recuperación suave de los diodos co-montados Sonic-FRDTM permiten que los IGBT XPT se enciendan con un di/dt muy alto independientemente de las condiciones de baja corriente y temperatura, lo que da como resultado un excelente rendimiento de Achieve EMI.

    Una amplia variedad de aplicaciones de alto voltaje pueden beneficiarse de las ventajas únicas de manejo de potencia y eficiencia energética de estos nuevos dispositivos. Una lista de posibles aplicaciones incluye inversores de potencia de alta frecuencia, UPS, unidades de motor, controles de iluminación de alta potencia, soldadoras, cargadores de baterías, circuitos de corrección del factor de potencia y fuentes de alimentación conmutadas de alto voltaje. Se incluyen los números de pieza IXYH50N120C3 (Ic25 = 105 A, Vcesat = 3,0 V, tfi (tipo) = 57 ns, TO-247), IXYH82N120C3 (Ic25 = 160 A, Vcesat = 3,2 V, tfi (tipo) = 93 ns, TO- 247). , IXYN82N120C3H1 (Ic25 = 105 A, Vcesat = 3,2 V, tfi (típico) = 93 ns, SOT-227) e IXYB82N120C3H1 (Ic25 = 160 A, Vcesat = 3,2 V, tfi (típico) = 93 ns, PLUS264).

    Se puede obtener información adicional sobre el producto visitando el sitio web de IXYS (http://www.ixys.com) o comunicándose directamente con la empresa.

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