El MB85R2002 es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) que consta de 131 072 palabras x celdas de memoria no volátil de 16 bits fabricadas con tecnología de proceso CMOS de proceso ferroeléctrico y puerta de silicio.El MB85R2002 es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) que consta de 131 072 palabras x celdas de memoria no volátil de 16 bits fabricadas con tecnología de proceso CMOS de proceso ferroeléctrico y puerta de silicio. El MB85R2002 puede retener datos sin la batería de respaldo requerida para SRAM.
Las celdas de memoria utilizadas en MB85R2002 se pueden utilizar para al menos 1010 operaciones de lectura/escritura. Esta es una mejora significativa sobre la cantidad de operaciones de lectura/escritura admitidas por la memoria flash y E2PROM. MB85R2002 emplea una interfaz pseudo-SRAM compatible con SRAM asíncrona convencional.
*característica*
*Configuración de bits: 131 072 palabras x 16 bits
* Resistencia de lectura/escritura: 10^10 veces/bit (mínimo)
*Voltaje de la fuente de alimentación operativa: 3,0 V a 3,6 V
*Rango de temperatura de funcionamiento: -20 °C a +85 °C
* Retención de datos: 10 años (+55°C)