Renesas Electronics Corporation ha anunciado dos nuevos optoacopladores PS9332L y PS9332L2 que integran un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). [Note 1] Protección óptima para aplicaciones como maquinaria industrial y sistemas fotovoltaicos.Renesas Electronics Corporation ha anunciado dos nuevos optoacopladores PS9332L y PS9332L2 que integran un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). [Note 1] Protección óptima para aplicaciones como maquinaria industrial y sistemas fotovoltaicos.
Los nuevos PS9332L y PS9332L2 integran un circuito de abrazadera Miller activo. [Note 2] Como fotoacoplador para accionamiento IGBT con función de protección IGBT integrada, evita el mal funcionamiento de IGBT y tiene una conmutación de alta velocidad de clase mundial (un 20 % más rápida que los productos Renesas convencionales), SDIP compacto de 8 pines (retráctil dual en línea) paquete), funcionamiento garantizado a alta temperatura. Los fotoacopladores se pueden utilizar para accionar las puertas de los elementos IGBT utilizados en los circuitos inversores para el control de motores.
Cuando se manejan voltajes relativamente altos, es común proteger circuitos como inversores con dispositivos de aislamiento como acopladores.
Un fotoacoplador es una combinación de un diodo emisor de luz (LED) en el lado de entrada que convierte una señal eléctrica en luz y un elemento receptor de luz en el lado de salida que convierte la luz en una señal eléctrica en un solo paquete. Los lados de entrada y salida están eléctricamente aislados ya que la señal se transmite en forma de luz. Hay dos tipos de fotoacopladores: fotoacopladores de propósito general (salida de transistor) utilizados para fuentes de alimentación, etc., y fotoacopladores de accionamiento IGBT utilizados para el accionamiento de puerta de elementos IGBT, como la generación de energía solar y los inversores de uso general.
Los nuevos productos PS9332L y PS9332L2 son fotoacopladores controlados por IGBT que consisten en un LED de arseniuro de aluminio y galio (GaAlAs) como diodo emisor de luz, un fotodetector IC y un circuito de protección IGBT. Están diseñados para accionar la compuerta del dispositivo IGBT mientras brindan una función de protección integrada (abrazadera Miller activa) para evitar que el IGBT funcione mal y lo destruya. En los sistemas convencionales, esta función de protección debía implementarse con componentes externos, lo que complicaba el diseño del sistema y dificultaba la miniaturización. Los nuevos PS9332L y PS9332L2 resuelven este problema.
*Características clave de los nuevos optoacopladores PS9332L y PS9332L2:*
* (1) Equipado con un circuito de abrazadera Miller activo para evitar el mal funcionamiento de IGBT
Cuando el IGBT conectado al fotoacoplador se apaga, fluye una corriente (corriente de espejo) entre el colector y la compuerta, generando un voltaje en la compuerta y posiblemente provocando un mal funcionamiento. Un circuito de abrazadera Miller activo interno acorta la carga de la compuerta a tierra, lo que suprime el aumento de voltaje de la compuerta y evita el funcionamiento erróneo. La incorporación del circuito de protección en el fotoacoplador simplifica el diseño del sistema y permite la miniaturización de todo el sistema.
*(2) La velocidad de cambio es el nivel más alto (20 % más rápido que los productos convencionales de Renesa)
El proceso BiCMOS patentado de Renesas se utiliza para el fotodetector IC para reducir la capacitancia parásita [Note 3], baja latencia (tPHL, tPLH ≤ 200 ns, 20 por ciento menos que los predecesores comparables) y bajo consumo de corriente de circuito (Icc ≤ 2,5 mA). Esto hace posible construir circuitos de control de inversores con mayor precisión y menor consumo de energía. Además, el bajo consumo de corriente del circuito permite una fuente de alimentación más compacta para los sistemas que controlan los IGBT.
* (3) Paquete SDIP pequeño de 8 pines
Al integrar la función de abrazadera Miller activa, el tamaño del chip del fotodetector es similar al de los productos convencionales comparables, lo que permite un paquete SDIP compacto de 8 pines. Esto reduce el espacio ocupado en un 40 % en comparación con un DIP de 8 pines, lo que le permite construir un sistema más compacto.
Hay dos opciones de marco de plomo disponibles para este paquete. El PS9332L tiene una distancia de fuga exterior de 7 mm, mientras que el PS9332L2 tiene una distancia de fuga exterior de 8 mm.
* (4) Funcionamiento a alta temperatura garantizado
Los materiales se han mejorado para permitir el funcionamiento a temperaturas elevadas hasta una temperatura ambiente máxima de funcionamiento de 125 °C. Esto simplifica el diseño térmico del sistema en entornos de alta temperatura.
Renesas cree que los nuevos productos PS9332L y PS9332L2 permitirán la simplificación y miniaturización del desarrollo de productos de inversores, que se espera que crezcan en el mercado en el futuro. Renesas continuará promoviendo activamente las ventas y desarrollando nuevos productos que cumplan con los requisitos de alta temperatura, alta velocidad y alta potencia de los clientes.
Al combinar el nuevo producto con los IGBT de Renesas, es posible reducir el tiempo muerto durante la conmutación en aproximadamente un 10 % (en comparación con los productos existentes de Renesas) y mejorar la eficiencia energética. También proporcionamos placas de referencia para acondicionadores de energía, inversores, etc. como soluciones de kit con MCU para ampliar el soporte para el desarrollo de productos del cliente.
* [Note 1] Los transistores bipolares de puerta aislada se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente.
* [Note 2] Un circuito que absorbe la corriente reactiva (corriente de espejo) generada a través de la capacitancia parásita entre el colector y la puerta del IGBT.
* [Note 3] Componente de capacitancia no deseado generado por las propiedades físicas dentro del chip. También llamada capacitancia parásita.
*Precios y Disponibilidad*
Las muestras de los nuevos PS9332L y PS9332L2 estarán disponibles en febrero de 2013, a un precio de $2,00 cada una. La producción en masa de PS9332L y PS9332L2 está programada para comenzar alrededor de junio de 2013, y la producción mensual está programada para alcanzar 1 millón de unidades en octubre de 2013. (Los precios y la disponibilidad están sujetos a cambios sin previo aviso).