En las aplicaciones industriales de alta potencia de hoy en día, los diseñadores han usado tradicionalmente componentes discretos para controladores IGBT. Como resultado, el diseño general se vuelve más complejo y aumenta el costo del sistema. Para ayudar a los diseñadores a superar este problema, Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) presentó el optoacoplador de controlador de puerta inteligente FOD8318 con abrazadera Miller activa. Este dispositivo es un optoacoplador de conducción IGBT de corriente de salida de 2,5 A avanzado que puede controlar la mayoría de los IGBT de 1200 V/150 A.
En las aplicaciones industriales de alta potencia de hoy en día, los diseñadores han usado tradicionalmente componentes discretos para controladores IGBT. Como resultado, el diseño general se vuelve más complejo y aumenta el costo del sistema. Para ayudar a los diseñadores a superar este problema, Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) presentó el optoacoplador de controlador de puerta inteligente FOD8318 con abrazadera Miller activa. Este dispositivo es un optoacoplador de unidad IGBT de corriente de salida de 2,5 A avanzado que puede controlar la mayoría de los IGBT de 1200 V/150 A.
El FOD8318 consta de un optoacoplador de accionamiento de compuerta integrado con transistores CMOS de bajo RDS (ON) para accionamiento IGBT de riel a riel y un circuito de retroalimentación aislado para la detección de fallas. Proporciona una función de sujeción Miller activa que apaga el IGBT durante situaciones de dv/dt alto sin necesidad de un voltaje de suministro negativo. Esto simplifica el diseño y aumenta la fiabilidad. Además, el FOD8318 proporciona las características de protección críticas necesarias para evitar condiciones de falla que conduzcan a un desbordamiento térmico destructivo en el IGBT.
Este dispositivo es ideal para controlar IGBT y MOSFET de potencia de conmutación rápida en aplicaciones tales como unidades de motor, inversores industriales, inversores fotovoltaicos, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), calentamiento por inducción y unidades IGBT aisladas.
*Principales características:*
* Función de abrazadera Miller activa para eliminar el voltaje de suministro negativo
* Protección IGBT incorporada
** Detección de desaturación
** Apagado suave de IGBT
** Bloqueo por bajo voltaje (UVLO) optimizado para IGBT
* Alta inmunidad al ruido con CMR: 35kV/μsec @Vcm-1500Vpeak
*La entrada lógica es de 3,3 V/5 V, CMOS/TTL
* Voltaje de salida oscilante de riel a riel para bajo consumo de energía
* Seguridad y aprobaciones regulatorias
** UL1577, 4243VRMS, 1 minuto.
** DIN-EN/IEC60747-5-5, tensión de trabajo de 1414 Vpico, aislamiento transitorio de 8000 Vpico
** Tensión nominal