TE Circuit Protection ha desarrollado el protector de descarga electrostática (ESD) de silicio de capacitancia más baja SESD0402X1BN-0010-098. El dispositivo tiene una capacitancia baja de 0,10 pF, una corriente de fuga baja de 25 nA a 5 V y operación bidireccional.TE Circuit Protection ha desarrollado el protector de descarga electrostática (ESD) de silicio de capacitancia más baja SESD0402X1BN-0010-098. El dispositivo tiene una capacitancia baja de 0,10 pF, una corriente de fuga baja de 25 nA a 5 V y operación bidireccional. Este dispositivo se usa típicamente en electrónica de consumo, móvil y portátil.
*característica*
* Factor de forma (mm) = 1005
* Factor de forma (pulgadas) = 0402
* Proceso de soldadura sin plomo = soldadura por reflujo a 245 °C, soldadura por reflujo a 260 °C
* Libre de halógenos = Vr≤900ppm, CI≤900ppm, Br+CI≤1500ppm
* Temperatura de funcionamiento (°C) = -55 – +125
* Marca = Raychem
* Clasificación de nodo = Dispositivo ESD