Diodos de protección ESD para interfaces de alta velocidad en dispositivos móviles

Toshiba America Electronic Components, Inc. anuncia una nueva línea de diodos de protección ESD para interfaces de alta velocidad en dispositivos móviles. El nuevo dispositivo ofrece simultáneamente baja capacitancia, baja resistencia dinámica y alta robustez ESD. La nueva línea de diodos de protección ESD de Toshiba consta de cinco productos para líneas de señal de 3,3 V y cinco productos para líneas de señal de 5,0 V, lo que permite a los ingenieros de diseño elegir una combinación adecuada para el voltaje de interfaz del dispositivo.

Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) anunció la introducción de una nueva línea de diodos de protección contra descargas electrostáticas (ESD) de baja capacitancia y múltiples bits para interfaces de alta velocidad. Adecuados para su uso en dispositivos móviles como teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos portátiles, los nuevos diodos ofrecen una excelente protección y compatibilidad con interfaces como USB 3.0/3.1 y HDMI. El nuevo dispositivo ofrece simultáneamente baja capacitancia, baja resistencia dinámica y alta robustez ESD. Una capacitancia ultrabaja de 0,2 pF garantiza una distorsión de señal mínima para señales de datos de alta velocidad, y una resistencia dinámica típica de RDYN=0,5 Ω garantiza un voltaje de sujeción bajo. Los altos niveles de protección ESD están respaldados por voltajes de descarga electrostática de al menos ±20 kV según IEC61000-4-2.

El crecimiento continuo en el tráfico de datos impulsado por teléfonos inteligentes, dispositivos portátiles y aplicaciones como la realidad virtual y el Internet de las cosas ha aumentado la cantidad de interfaces de alta velocidad que deben protegerse de los eventos de ESD. La nueva línea de diodos de protección ESD de Toshiba consta de cinco productos para líneas de señal de 3,3 V y cinco productos para líneas de señal de 5,0 V, lo que permite a los ingenieros de diseño elegir una combinación adecuada para el voltaje de interfaz del dispositivo. Los nuevos diodos se fabrican en el proceso EAP-IV recientemente desarrollado por Toshiba, que utiliza la tecnología snapback propiedad de Toshiba. Como resultado, la resistencia operativa que absorbe la ESD y el ruido se ha mejorado en aproximadamente un 50 % en comparación con los productos convencionales de Toshiba. El voltaje ESD se ha mejorado en aproximadamente un 75 % en comparación con los productos existentes, lo que contribuye a mejorar la confiabilidad del sistema.

Una nueva línea de diodos de protección ESD está disponible en tres tamaños de paquete diferentes para cumplir con los requisitos de espacio de montaje. El pequeño paquete SOD-962 es ideal para aplicaciones multipuerto en crecimiento, como USB Type-C™. El paquete DFN10 de flujo continuo (2,5 × 1,0 mm) puede reducir la inductancia del cable. El paquete SOD-882 (CST2) (1,0 × 1,6 mm) contribuye a dispositivos delgados y compactos.

Especificaciones principales

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