El IX2120B es un circuito integrado de controlador de compuerta de medio puente de alto voltaje diseñado para controlar MOSFET e IGBT de potencia discreta que funcionan hasta 1200 V. Hunde 2 A de corriente.
El circuito de cambio de nivel de alto voltaje permite que las señales lógicas de bajo voltaje controlen los IGBT configurados en el lado alto que funcionan hasta 1200 V. La clasificación máxima absoluta de 1400 V del IX2120B proporciona un margen adicional para aplicaciones de alto voltaje.
“Este producto complementa la gama completa de circuitos integrados de controlador de energía que hemos desarrollado e introducido en el mercado de administración de energía durante los últimos tres años”, dijo el Dr. Nathan Zommer, director ejecutivo y director de tecnología de IXYS Corporation.
Junto con los productos IXYS power MOSFET e IGBT, los controladores ICD ofrecen a los clientes de IXYS una ventanilla única para soluciones de sistema completas, incluida la línea de MCU de Zilog.
El IX2120B se fabrica con el proceso avanzado HVIC Silicon on Insulator (SOI) de IXYS ICD, lo que hace que el IX2120B sea extremadamente robusto y virtualmente inmune a transitorios negativos y alto ruido dV/dt.
Las entradas son compatibles con lógica de 3,3 V y 5 V. Los circuitos internos de bloqueo por bajo voltaje para las salidas del lado alto y del lado bajo evitan que el IX2120B encienda los IGBT de alimentación discreta hasta que haya suficiente voltaje de compuerta. El retardo de propagación de salida está ajustado para su uso en aplicaciones de alta frecuencia.
El IX2120B puede impulsar MOSFET discretos de potencia e IGBT en configuraciones de medio puente, puente completo y trifásico. Las aplicaciones comunes incluyen unidades de motor, inversores de alto voltaje, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y convertidores CC/CC. El IX2120B complementa la amplia cartera de IXYS ICD de controladores de compuerta de alto voltaje, controladores de compuerta de lado bajo, controladores de compuerta con aislamiento óptico y la gama completa de semiconductores de potencia IXYS.
característica
- Canal flotante para operación bootstrap hasta +1200 V
- Salida capaz de generar y hundir 2 A
- Rango de suministro de accionamiento de compuerta de 15 V a 20 V
- Robustez mejorada con el proceso SOI
- Inmunidad a transitorios de tensión negativa: inmunidad dV/dt
- compatible con lógica de 3,3 V
- Bloqueo de bajo voltaje para salidas de lado alto y lado bajo