Texas Instruments Incorporated ha presentado un controlador de compuerta de lado bajo para usar en MOSFET convertidores de potencia de alta densidad y transistores de efecto de campo de potencia (FET) de nitruro de galio (GaN). El nuevo LM5114 impulsa FET y MOSFET de GaN en aplicaciones de lado bajo, como rectificadores síncronos y convertidores de factor de potencia.
Texas Instruments Incorporated ha presentado un controlador de compuerta de lado bajo para usar en MOSFET convertidores de potencia de alta densidad y transistores de efecto de campo de potencia (FET) de nitruro de galio (GaN). El nuevo LM5114 impulsa FET y MOSFET de GaN en aplicaciones de lado bajo, como rectificadores síncronos y convertidores de factor de potencia. Junto con el LM5113, el primer controlador FET GaN de medio puente de 100 V de la industria anunciado en 2011, esta familia es ideal para comunicaciones de alto rendimiento, redes y aplicaciones de centros de datos. Para obtener más información, muestras y placas de evaluación, visite www.ti.com/gan-pr.
El LM5114 controla MOSFET estándar y FET de GaN con salidas de fuente y sumidero independientes a partir de un voltaje de alimentación de 5 V. El producto tiene una capacidad de corriente de apagado de pico alto de 7,6 A requerida para aplicaciones de alta potencia donde se usan FET más grandes o FET paralelos. La mayor fuerza de extracción también hace posible impulsar correctamente los FET de GaN. Las salidas de fuente y sumidero independientes eliminan la necesidad de diodos en la ruta del controlador y permiten un control estricto de los tiempos de subida y bajada.
TI presenta su familia de controladores FET: LM5114, LM5113 en nuevos paquetes micro SMD, controlador de compuerta de lado bajo 4A/8A compatible con pines UCC27511 que se lanzará en marzo y más. Ventajas de la tecnología GaN FET: stand n.° 401 en la Conferencia y exhibición de electrónica de potencia aplicada (APEC), del 6 al 8 de febrero en Orlando, Florida. APEC es una de las conferencias líderes de la industria para profesionales de la electrónica de potencia.
Características y beneficios clave del controlador de puerta de lado bajo LM5114
- Las salidas de abastecimiento y hundimiento independientes con tiempos de subida y bajada optimizados permiten una mayor eficiencia.
- Un solo suministro de +4 V a +12,6 V admite una amplia gama de aplicaciones.
- Una salida sumergible de drenaje abierto de 0,23 Ω evita que se encienda accidentalmente.
- La corriente máxima del controlador de disipador/fuente de 7,6 A/1,3 A maximiza la inmunidad al cambio de voltaje (DV/DT) a lo largo del tiempo.
- Al hacer coincidir el tiempo de retardo entre las entradas inversora y no inversora, se mitigan las pérdidas por tiempo muerto.
- El retraso de propagación suele ser de 12 ns, lo que permite frecuencias de conmutación más altas mientras se mantienen las ganancias de eficiencia.
- Entradas lógicas hasta 14 V, independientes de VCC.
- El rango de temperatura de funcionamiento es de -40 °C a +125 °C.
Disponibilidad, embalaje, precios
El LM5114 está actualmente disponible en volumen de TI y sus distribuidores autorizados. Se ofrece en un paquete SOT-23 de 6 pines y un paquete LLP de 6 pines con almohadilla expuesta, con un precio minorista sugerido de $0.58 en cantidades de 1000.
Obtenga más información sobre la cartera de administración de energía de TI en:
- Para solicitar nuevos módulos de evaluación y muestras de controladores GaN FET: www.ti.com/lm5114-pr
- Para obtener información sobre todas las soluciones de controladores GaN FET de TI: www.ti.com/gan-pr
- Vea una demostración de laboratorio del LM5113: http://www.ti.com/lm5113-prv.
- Haga preguntas y comparta su conocimiento en el Foro de energía de la comunidad TI E2E™: http://www.ti.com/powerforum-p…