El MB85R2001 es un chip de memoria de acceso aleatorio (FRAM) ferroeléctrico de 2 Mbit empaquetado en un TSOP de plástico de 48 pines y funciona en un rango de temperatura de -20 °C a +85 °C. Tiene 10 años de retención de datos y funciona con un suministro de 3,6 V.El MB85R2001 es un chip de memoria de acceso aleatorio (FRAM) ferroeléctrico de 2 Mbit empaquetado en un TSOP de plástico de 48 pines y funciona en un rango de temperatura de -20 °C a +85 °C. Tiene 10 años de retención de datos y funciona con un suministro de 3,6 V.
MB85R2001 es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) compuesto por celdas de memoria no volátil de 262 144 palabras x 8 bits fabricadas mediante un proceso ferroeléctrico y tecnología de proceso CMOS de puerta de silicio. El MB85R2001 puede retener datos sin la batería de respaldo requerida para SRAM. Las celdas de memoria utilizadas en MB85R2001 se pueden utilizar para al menos 10^10 operaciones de lectura/escritura. Esta es una mejora significativa sobre la cantidad de operaciones de lectura/escritura admitidas por la memoria flash y la EEPROM. MB8R2001 adopta una interfaz pseudo-SRAM compatible con SRAM asíncrona convencional.
*característica*
*Configuración de bits: 262 144 palabras x 8 bits
* Resistencia de lectura/escritura: 10^10 veces/bit (mínimo)
*Voltaje de la fuente de alimentación operativa: 3,0 V a 3,6 V
*Rango de temperatura de funcionamiento: -20 °C a +85 °C
* Retención de datos: 10 años (+55°C)
* Paquete: TSOP de plástico de 48 pulgadas (1)