Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy la producción de los primeros chips de memoria de celdas multinivel (MLC) DDR2.0 alternantes de alto rendimiento de la industria. Los nuevos chips flash NAND alcanzan una densidad de 64 gigabits (Gb) mediante el uso de tecnología avanzada de proceso de clase* de 20 nanómetros (nm).
SEÚL, Corea del Sur – 12 de mayo de 2011 – Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy el inicio de la producción de las primeras celdas multinivel (MLC) DDR 2.0 de alto rendimiento de la industria. . ) chips de memoria. Los nuevos chips flash NAND alcanzan una densidad de 64 gigabits (Gb) mediante el uso de tecnología avanzada de proceso de clase* de 20 nanómetros (nm). Este chip está diseñado para admitir los requisitos de alto rendimiento de los dispositivos móviles, como teléfonos inteligentes, tabletas y unidades de estado sólido (SSD).
Un nuevo chip MLC de 64 Gb con una interfaz alternar DDR (Double Data Rate) 2.0 puede transmitir datos a anchos de banda de hasta 400 megabits por segundo (Mbps). Esto representa una mejora de 10 veces con respecto a la memoria flash NAND de velocidad de datos única (SDR) de 40 Mbps ampliamente utilizada en la actualidad y una mejora de 3 veces con respecto a la primera memoria flash NAND de 32 Gb NAND DDR 1.0 de 133 Mbps de Samsung en 2009.
“Con esta clase de 20nm, 64Gb, alternar DDR 2.0 NAND, Samsung está liderando el mercado que evoluciona hacia teléfonos inteligentes de cuarta generación y SSD SATA de 6 Gbps”, dijo Wang Hung, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung Electronics. “Seguiremos desarrollando activamente la solución flash DDR NAND alternada más avanzada del mundo con mayor rendimiento y densidad porque brindará servicios más diversos a los usuarios de teléfonos móviles de todo el mundo. Porque creemos que es esencial hacerlo posible”.
El rápido ancho de banda de 400 Mbps de Toggle DDR 2.0 hace que la transición en curso a interfaces avanzadas sea más eficiente, ya que los dispositivos electrónicos de consumo y móviles que requieren mayor rendimiento y densidad adoptan interfaces más nuevas, como USB 3.0 y SATA 6.0 Gbps.
Además, los nuevos chips MLC NAND de 64 Gb son aproximadamente un 50 % más productivos que los chips MLC NAND de 32 Gb en la clase de 20 nm con una interfaz DDR 1.0 de alternancia (Samsung entró en producción en abril pasado), y la clase de 30 nm duplica con creces la productividad de Clase 32Gb MLC NAND.
Según IHS iSuppli, se espera que el mercado global de memoria flash NAND continúe creciendo de manera constante a una tasa compuesta anual del 54 % desde aproximadamente 11 000 millones de unidades equivalentes a 1 gigabyte (GB) en 2010 a 94 000 millones de unidades equivalentes a 1 GB en 2015. Estoy aquí . Además, se espera que los envíos de memoria flash NAND con densidades de 64 Gb y superiores representen aproximadamente el 70 por ciento de los envíos totales de memoria flash NAND en 2012, un aumento significativo desde el nivel del 3 por ciento en 2010.
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Acerca de Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics Co., Ltd. es líder mundial en tecnologías de semiconductores, telecomunicaciones, medios digitales y convergencia digital con ventas consolidadas en 2010 de 135.800 millones de dólares estadounidenses. Con aproximadamente 190 500 empleados en 206 oficinas en 68 países, la empresa consta de ocho unidades de negocios independientes: pantallas visuales, comunicaciones móviles, sistemas de telecomunicaciones, dispositivos digitales, soluciones de TI, imágenes digitales, semiconductores y LCD. Conocida como una de las marcas globales de más rápido crecimiento, Samsung Electronics es un fabricante líder de televisores digitales, chips semiconductores, teléfonos móviles y TFT-LCD. Para obtener más información, visite www.samsung.com.